中國半導體業(yè)再次發(fā)起沖擊
差距有多大
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/110786.htm目前中芯國際自David Wang上臺后,又喜賀特許的楊士寧加盟,隨之引進一批骨干人材。目前己經開始65nm產品的量產,月產為4000片左右,并正努力沖擊45nm技術及準備32nm的研發(fā),應該說已取得了長足的進步。另外上海華立正緊鑼密鼓的進行設備訂貨及技術前期準備工作,如與IMEC簽訂65nm技術合作協(xié)議與培訓人材。
但是臺積電在Q12010年時65nm占營收27%及40-45nm占營收為14%。并正在擴充其12英寸生產線Fab 12與Fab14的產能。到2010年第四季度時兩個工廠合計40nm產能將達到16萬片,比去年同期翻一番。該公司40nm工藝的銷售額比例在2009 年第四季度為9%,預計2010年底將提高到20%。
聯(lián)電目標在今年下半年實現(xiàn)65nm占營收的30-40%,即2010年銷售額有近10億美元,及45-40nm占3%。
另外,IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法半導體四家行業(yè)巨頭聯(lián)合宣布,他們將合作實現(xiàn)半導體制造工廠的同步,共同使用IBM 技術聯(lián)盟開發(fā)的28nm低功耗工藝生產相關芯片。
IBM技術聯(lián)盟的28nm低功耗工藝使用Bulk CMOS、HKMG(高K金屬柵極)技術,特別是有意通過獨特的Gate First(前柵極)技術推動HKMG的標準化,號稱在靈活性和制造性方面都優(yōu)于其他類型的HKMG技術(主要是Intel),芯片核心尺寸更小,設計和生產兼容性更好。預計今年底就會有工廠率先完成同步過程,隨后不久便可以開始投產。
由此,全球代工的第一陣營中,包括臺積電,聯(lián)電,GlobalFoundries及三星基本上已進入45-40nm量產,而跨入28nm的試生產中。其中臺積電聲言將跳過28nm,而直接進入20nm,采用領先半代的工藝技術策略。
所以中芯國際及華立不但要加緊尋找技術合作伙伴,進行自主的突破技術,而且一定要快,否則想從“虎口奪牙”,要爭取更大的市場份額會有一定難度。然而,從長遠看中國發(fā)展半導體業(yè)不必太在乎是全球第幾名,而是在于從整體上提高中國半導體業(yè)的基礎水平,使產業(yè)鏈更加完善,能讓大部分企業(yè)能實現(xiàn)盈利而生存下來及芯片的自給率真正提高到一定水平。
評論