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            臺(tái)積電推出0.25微米車用一次性可編程存儲(chǔ)器硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)

            作者: 時(shí)間:2010-06-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              今日宣布,推出通過美國汽車電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產(chǎn)品規(guī)格驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)的0.25微米車用一次性可編程(One-time-programmable) 硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/110449.htm

              此一硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與TSMC的 (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號(hào)/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝完全相容,因此無需額外增加其他工藝步驟,提供車用電源管理及模擬產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片制造一個(gè)理想的選擇。

              TSMC0.25微米車用一次性可編程硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)系通過AEC-Q100第一級(jí) (AEC-Q100 grade1) 產(chǎn)品規(guī)格驗(yàn)證,包括良率電氣特性測(cè)試的全面測(cè)試(Fully tested at multi-probe)以及能在攝氏125度的高溫下資料保存(Data retention)能力達(dá)到10年的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn);進(jìn)行資料讀取作業(yè)(Read operation)的設(shè)定電壓為7.5伏特,而實(shí)際編程操作的電壓為5伏特。

              TSMC系以自力旺電子公司所授權(quán)取得的位元儲(chǔ)存格(Bit-Cell)結(jié)構(gòu)技術(shù)為基礎(chǔ),開發(fā)出此一符合TSMC工藝及故障分析標(biāo)準(zhǔn)的0.25微米車用一次性可編程硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)。同時(shí),提供電性分析及測(cè)試方法文件,以符合車用電子嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)要求。

              TSMC車用電子項(xiàng)目處長鄭國棟表示:「繼推出通過AEC-Q100驗(yàn)證,針對(duì)微控制器(MCU)產(chǎn)品應(yīng)用的0.25微米與0.18微米嵌入式閃存硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)之后,TSMC又再推出此一0.25微米車用一次性可編程存儲(chǔ)器硅知識(shí)產(chǎn)權(quán),為客戶提供更多的選擇,滿足對(duì)模擬訊號(hào)調(diào)整(Analog trimming)、校準(zhǔn)設(shè)定(Calibration configuration)、加密設(shè)定(Encryptions keys)以及在客戶端內(nèi)完成客制化作業(yè)(In-field customizations)等日漸增加的需求。



            關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 BCD 存儲(chǔ)器

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