英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感，使設(shè)計者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。

　　全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內(nèi)，貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計者設(shè)計出更薄的電源外殼，滿足當(dāng)今市場對時尚纖巧新品的需求。目前有兩家公司可推出這種新封裝：英飛凌和意法半導(dǎo)體將推出采用這種創(chuàng)新封裝的MOSFET，分別為ThinPAK 8x8(英飛凌)和PowerFLAT™ 8x8 HV(意法半導(dǎo)體)，為客戶提供不同的優(yōu)質(zhì)選擇。

　　英飛凌高壓MOS產(chǎn)品線經(jīng)理Jan-Willem Reynaerts指出：“今天我們與意法半導(dǎo)體合作推出的新型封裝，為高壓MOSFET的無管腳SMD封裝樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。CoolMOS™ 等硅技術(shù)已發(fā)展到可高效快速開關(guān)的高級階段。在該階段，傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)過孔封裝逐漸成為限制能效和功率密度進(jìn)一步提升的因素。”

　　ThinPAK 8x8封裝不僅具備2nH的極低寄生電感(D2PAK的寄生電感為6nH)、與D2PAK類似的散熱性能，而且其獨(dú)立的驅(qū)動源連接點(diǎn)可以保證干凈的柵極信號。因此，ThinPAK 8x8封裝可使功率MOSFET實(shí)現(xiàn)更快速、高效的開關(guān)，更輕松地處理開關(guān)行為和電磁干擾。

　　初期，英飛凌將推出三款采用這種新封裝的600V CoolMOS™ 器件：199毫歐(IPL60R199CP)、299毫歐(IPL60R299CP)和385毫歐(IPL60R385CP)。