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            EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 克服放大器電氣過應(yīng)力問題(上)

            克服放大器電氣過應(yīng)力問題(上)

            作者:Thomas Kuehl 德州儀器(TI) 高性能模擬線性產(chǎn)品部 高級(jí)應(yīng)用工程師 Bonnie Baker 德州儀器(TI) 高級(jí)應(yīng)用工程師 時(shí)間:2010-04-19 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              集成電路通常不包括條件保護(hù)。充其量,內(nèi)部保護(hù)電路可能會(huì)在期間啟用,并提供充分保護(hù)。但是,設(shè)計(jì)保護(hù)電路并不能保證在所有狀態(tài)下都提供這種保護(hù)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/108100.htm

              EOS期間建立的電流路徑較為復(fù)雜,并且有一定的不可預(yù)知性,雜散阻抗變大的高頻情況下更是如此。圖3顯示了放大器內(nèi)幾種可能的電流路徑例子。輸入保護(hù)二極管(常為“關(guān)閉”)提供了到各個(gè)電源和 T1 的直流路徑。

              如果放大器電源不能吸入EOS相關(guān)電流,則IC電源引腳電壓可能會(huì)上升至危險(xiǎn)水平。T1為一個(gè)ESD吸收器件。ESD期間,T1的功能是在安全水平開啟并鉗制電源引腳的電壓。切記大多數(shù)ESD事件都發(fā)生在IC處于電路斷開時(shí)。但是,在電路內(nèi)EOS期間,T1可能在不經(jīng)意間開啟。此時(shí),T1會(huì)在電源引腳之間建立起一個(gè)低電阻連接。這樣,強(qiáng)破壞性電流開始流動(dòng),直到T1熔化,從而在放大器電源之間形成短路。前面提到的自加熱和破壞均可能發(fā)生。上述熱量溫度可以升高到足以使封裝熔化、裂開,如圖 2 所示。

              作為一個(gè)主要的設(shè)計(jì)考慮因素,需要確保經(jīng)過器件的所有路徑均能夠安全地經(jīng)受住 EOS事件期間出現(xiàn)的電流和電壓。如果您無法預(yù)見這些條件,同時(shí)您的IC也不能散出產(chǎn)生的熱量,那么電路就可能會(huì)被損壞。了解放大器的內(nèi)部ESD電路,并預(yù)測(cè)它們?cè)?EOS 事件中的表現(xiàn),是避免出現(xiàn)這些問題的有效方法。大多數(shù)廠商均可提供 ESD 電路的相關(guān)信息。



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