采用700V MOSFET的另一個(gè)好處是，電路可以承受交流380V輸入電壓，這樣設(shè)計(jì)的充電器可以在交流供電電壓差別很大的國(guó)家(如印度、俄羅斯、中國(guó)等)始終可靠工作。

　　提高效率需考慮的最后一個(gè)關(guān)鍵要素是EMI控制。根據(jù)國(guó)際上的兩大能效規(guī)范(EN 55022和CISPR 22 Class B)，產(chǎn)品必須符合EMI標(biāo)準(zhǔn)。電路設(shè)計(jì)自身必須產(chǎn)生較低的EMI。為不良設(shè)計(jì)添加抑制元件是我們所不提倡的，因?yàn)檫@樣會(huì)增加成本、占用空間和吸收更多的功率?？上驳氖?，LinkSwitch-II器件集成了多個(gè)可降低EMI的有用功能。振蕩器集成有頻率調(diào)制功能，可以擴(kuò)展頻譜。電源在最高80kHz下工作時(shí)，峰值初級(jí)電流會(huì)低于最高頻率為45kHz的設(shè)計(jì)，這樣可以增加差模EMI裕量。這些功能以及E-Shield技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了所需EMI抑制元件的設(shè)計(jì)，只需采用一些扼流圈、電阻和電容。

　　如圖2所示，電路多個(gè)部分采取了防傳導(dǎo)及輻射EMI設(shè)計(jì)。在AC輸入部分，電感L1和L2以及電容C1和C2組成一個(gè)π型濾波器，對(duì)差模傳導(dǎo)EMI噪聲進(jìn)行衰減。D5、R3、R4和C3組成RCD-R箝位電路，用于限制漏感引起的漏極電壓尖峰。電阻R4的值較大，用于避免漏感引起的漏極電壓波形振蕩。C6和R8用來(lái)限制D7上的瞬態(tài)電壓尖峰，并降低傳導(dǎo)及輻射EMI。這些元件可以使電源擁有10dB以上的裕量，輕松滿足EN 55022和CISPR 22 Class B標(biāo)準(zhǔn)。

　　圖4為采用PI器件設(shè)計(jì)的電源電路樣品，只需為數(shù)不多的元件即可設(shè)計(jì)出這種高效率充電器/適配器，并且完全滿足EMI、安全性及耐用度等要求。

　　本設(shè)計(jì)所取得的效率要比能源之星EPS 2.0版規(guī)范的5W電源效率要求高6%，但相比之下，低于50mW的超低空載功耗也許更加意義非凡。假設(shè)充電器在充完電后長(zhǎng)期插在插座上，那么與能源之星EPS 2.0版規(guī)范的要求相比，這種超低空載功耗在總能量節(jié)省中的貢獻(xiàn)率可以達(dá)到90%以上。

　　在5V/1,000mA電源設(shè)計(jì)中，Power Integrations向我們展示了設(shè)計(jì)師如何做才能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出公認(rèn)的最低能效要求，同時(shí)使產(chǎn)品既具成本優(yōu)勢(shì)又易于制造。