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            PI高效率充電適配器設(shè)計(jì)解決方案

            作者: 時間:2010-02-26 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 收藏

              圖2是一款5W通用輸入恒壓/恒流(CV/CC)充電器/適配器的電路設(shè)計(jì)圖。本設(shè)計(jì)適用于手機(jī)電池充電器、USB充電器或任何有恒壓/恒流特性要求的應(yīng)用。該電路可為最高1A的負(fù)載提供5V恒流輸出,精度為±5%。當(dāng)需要更大負(fù)載時,電源將進(jìn)入恒流模式,輸出電壓降低,使輸出電流維持在1A±10%。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/106348.htm

              

             

              圖2: 5W CV/CC通用輸入充電器電源電路圖

              這個電源電路是采用的LinkSwitch-II系列產(chǎn)品LNK616PG(U1)而設(shè)計(jì)的反激式電源。它不是傳統(tǒng)的PWM控制器,而是采用開/關(guān)控制來維持恒壓(CV)階段的穩(wěn)壓。它通過跳過開關(guān)周期來維持輸出功率水平,并通過調(diào)節(jié)使能與禁止開關(guān)周期的比值和初級限流點(diǎn)來維持穩(wěn)壓。這種控制方法在充電器設(shè)計(jì)中具有諸多獨(dú)特優(yōu)勢。隨著負(fù)載電流的增大,電流限流點(diǎn)也將升高,跳過的周期也越來越少,達(dá)到最大輸出功率點(diǎn)時將不再跳過任何開關(guān)周期。當(dāng)需要進(jìn)一步提高功率時,輸出電壓會隨之下降??刂破鳈z測到壓降后進(jìn)入恒流模式。 在此模式下,隨著電流需求的增大,開關(guān)頻率將下降,從而實(shí)現(xiàn)線性恒流(CC)輸出。圖3給出了該電路的電流及電壓性能。

              

             

              本設(shè)計(jì)中有幾大要素可以實(shí)現(xiàn)高效率和低成本。T1是其中的一個關(guān)鍵要素,其設(shè)計(jì)主要由U1中開關(guān)元件的性能來決定。LinkSwitch-II器件集成了700V功率MOSFET用作主要開關(guān)元件,這樣可以使工作頻率高達(dá)85kHz,幾乎是具有競爭性的BJT設(shè)計(jì)最高工作頻率45kHz的兩倍。頻率越高,就越容易減小尺寸及其層數(shù),從而降低中的電容開關(guān)損耗。為降低變壓器可能會產(chǎn)生的音頻噪音,控制最大磁通密度非常必要。在每個周期開始時,U1中的MOSFET導(dǎo)通,流經(jīng)T1初級繞組的電流則增大至LinkSwitch-II控制電路所允許的最大值。達(dá)到此值后,MOSFET關(guān)斷,儲存在T1中的能量會在磁場下降時轉(zhuǎn)移至次級繞組。輕載條件下,初級限流點(diǎn)下降,從而降低變壓器磁通密度。通過限流點(diǎn)控制、調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比值并根據(jù)輸出負(fù)載情況減低開關(guān)損耗,可以優(yōu)化轉(zhuǎn)換器在整個負(fù)載范圍內(nèi)的效率。

              T1內(nèi)的抽頭次級繞組5-3-2-NC具有三種功能。繞組2-5可通過二極管D6向U1提供低壓電源。從低壓次級側(cè)獲取功率,而不是在初級側(cè)降低電壓,這樣可以使電源在230VAC時空載功耗不超過50mW。

              繞組2-3可向U1的反饋(FB)輸入提供反饋信號。這個控制引腳可以根據(jù)偏置繞組的反激電壓來調(diào)節(jié)恒壓模式下的輸出電壓和恒流模式下的輸出電流。采用這種設(shè)計(jì)后,不僅可以省去輸出路徑中的檢測電阻,還可以省去一個光耦器和次級控制電路,從而大幅簡化電源設(shè)計(jì)。這種控制技術(shù)還能夠自動補(bǔ)償變壓器電感容差和內(nèi)部參數(shù)容差隨輸入電壓的變化。

              變壓器次級中的最后一個元素是繞組2-NC。這一設(shè)計(jì)是的E-ShieldTM技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。此舉可以改善EMI裕量,省去銅箔屏蔽層。

              另一個需要考慮的關(guān)鍵元件是D7。該二極管的性能對效率有重要影響,因?yàn)樗獋魉驼麄€DC負(fù)載電流。二極管將要承受的峰值反向電壓由初級開關(guān)元件的額定電壓來決定。其他同類設(shè)計(jì)方案使用額定峰值電壓為600V的開關(guān),這些解決方案要求使用低反射輸出電壓(VOR),并且D7必須選用60V肖特基二極管。LinkSwitch-II中集成的MOSFET能夠維持700V的電壓,使VOR取較高值。這樣可以降低D7上的應(yīng)力,從而能選用40V肖特基二極管。40V肖特基二極管不僅成本低廉,而且在2A時的正向?qū)▔航抵挥?.5V,而60V肖特基二極管的正向?qū)▔航禐?.7V。這樣可減少0.4W的峰值功耗,將效率提高5%。



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