小結(jié)：Intel與IBM：你走你的陽光道，我過我的獨(dú)木橋

　　Gartner 的分析師Freeman表示，他認(rèn)為Intel和AMD會繼續(xù)走自己的老路，Intel不太可能會使用SOI技術(shù)，而IBM則會繼續(xù)將SOI發(fā)揚(yáng)光大。他認(rèn)為Intel如果采用三門晶體管技術(shù)，“便可以繞開SOI，因此Intel未必會轉(zhuǎn)向SOI。”他并表示：“Intel會盡可能地延長體硅制程的壽命，而IBM則會盡快轉(zhuǎn)向全耗盡型SOI技術(shù)。”他還認(rèn)為將來Soitec和信越化學(xué)公司(SEH, Tokyo)將具備向IBM提供符合對方需要的ETSOI晶圓的能力(目前IBM需要在廠內(nèi)對ETSOI硅層進(jìn)行處理)。

　　其它關(guān)鍵技術(shù)：

　　除了以上所述的即將投入使用的技術(shù)之外，用于制造場效應(yīng)管溝道的半導(dǎo)體材料下一步也有可能會發(fā)生變化。在去年的IEDM會議上，斯坦福大學(xué)的教授 Krishna Saraswat曾表示，當(dāng)溝道寬度降至10nm左右時(shí)，必須采用新材料來制造溝道。據(jù)他估計(jì)，業(yè)界將首先開發(fā)出NMOS管使用III-V族元素構(gòu)建溝道，PMOS管使用鍺元素構(gòu)建溝道的技術(shù)，然后再向PMOS/NMOS統(tǒng)一采用III- V族元素制造溝道的方向發(fā)展。轉(zhuǎn)向使用III-V族元素將大大減小器件的工作電壓和管子的能耗，可將工作電壓減小至0.5V。不久之前，Intel便介紹了他們在使用這種技術(shù)制造的QWFET場效應(yīng)管方面取得的新進(jìn)展，當(dāng)時(shí)他們向這種晶體管結(jié)構(gòu)中引入了High-K柵極氧化物層。

　　除此之外，IBM則在TSV硅通孔互連技術(shù)和3D堆疊封裝技術(shù)方面取得了較大的進(jìn)展。