2010年一開春臺積電、聯電法說成外界關注焦點，晶圓雙雄對于2010年景氣的論調與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標之一。半導體設備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動劇烈，但以臺積電為例，過去景氣不錯的數年，臺積電采買設備都不手軟，目前已知2010年臺積電資本支出將高達約45 億美元，聯電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。

　　臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺積電總共約采買新臺幣1,450億元，相當于45億美元添購設備，預料將使原本已經產能稍許吃緊的設備業(yè)者，在因應急單時更捉襟見肘。

　　據了解，甚至部分大外商已經在銅制程蝕刻設備方面無法因應客戶急單，因為有許多半導體晶圓廠如臺積電、聯電、全球晶圓(Global Foundries)及大型整合元件廠、存儲器廠訂單都集中在第1季。

　　這樣晶圓廠僅及擴充產能、急拉設備的情況在2010年將會延續(xù)，這意味著對半導體設備業(yè)者的大多頭市場來臨。

　　據半導體設備業(yè)者估計，臺積電2010年資本支出約計45億美元，較2009年28億~29億美元至少成長6成;值得注意的是，臺積電不僅擴充一般性制程，也會積極采買前段微顯影設備。

　　業(yè)者分析，這可能與臺積電之前的40奈米良率問題有關，臺積電若未能有效克服良率拉高的挑戰(zhàn)，短期內將以擴充機臺做為解決客戶產能不足的權變方案。因此在技術方面，40奈米良率仍將是本季臺積電法說外界關切焦點，其次則是臺積電的資本支出額度。

　　在聯電方面，半導體設備業(yè)者預估，聯電2010年資本支出成長幅度較臺積電高，主要是聯電2009年資本支出基期較低，但2010年聯電在12寸廠先進制程將會較積極，因此2010年資本支出則上看10億美元，較2009年的5億美元達到倍增的程度。聯電的擴充重點據點則將會是新加坡的UMCi及12B的先進制程產能。