據(jù)稱，全球第一大半導體代工廠臺積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。

　　臺積電方面尚未就此發(fā)表官方評論，不過已經(jīng)有多個消息來源確認了這一點。

　　不過這并不意味著臺積電的新工藝研發(fā)就走進了死胡同。

　　事實上，臺積電在今年八月底就已經(jīng)在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實現(xiàn)了相同的良品率。

　　按照規(guī)劃，臺積電將在明年前三個季度分別開始試產(chǎn)28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗高K金屬柵極(28HPL)和 28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三種新工藝，這樣就根本沒有32nm工藝的空間了，但是根據(jù)臺積電此前的說法，在32nm工藝階段研發(fā)中取得的很多成果都會用于28nm，比如硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料。

　　另一方面，業(yè)界客戶對32nm工藝的需求并不高，但整個半導體行業(yè)對全代工藝28nm的熱情卻相當高漲，既有臺積電，也有IBM技術聯(lián)盟、東芝和NEC等，只有Intel準備獨自跨越到22nm，不過那是為其處理器產(chǎn)品準備的。

　　如果這樣看，與其說是臺積電取消了32nm，倒不如說是跨過了這一階段。

　　當然了，40nm工藝上的深刻教訓也讓我們對臺積電缺乏足夠的信心，但愿在28nm工藝上能夠一切順利。