10月10日消息，ASML 新任首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大會(huì)上介紹了ASML的High NA EUV光刻機(jī)，并表示英特爾的第二套 High NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)組裝完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻機(jī)將不太可能像當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)那樣出現(xiàn)延遲交貨的情況，其原因是ASML找到了組裝掃描儀子組件的新方法，就是直接在客戶工廠進(jìn)行安裝，無(wú)需經(jīng)歷拆卸及再組裝的過(guò)程，這將大大節(jié)省ASML與客戶之間的時(shí)間和成本，有助于加快High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)貨和交貨。

英特爾院士兼曝光技術(shù)總監(jiān)Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演講中也表示，英特爾已經(jīng)在波特蘭工廠完成了兩套的High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝。

此外，Mark Phillips 還公布了一些的數(shù)據(jù)，說(shuō)明了 High NA EUV光刻機(jī)相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)所帶來(lái)的改進(jìn)，通過(guò)High NA EUV光刻機(jī)應(yīng)用出來(lái)的改善結(jié)果可能要比之前想象中還要多。

Mark Phillips 強(qiáng)調(diào)，由于已經(jīng)有了經(jīng)驗(yàn)，第二套 High NA EUV光刻系統(tǒng)的安裝速度比第一個(gè)還要更快。 據(jù)稱，High NA EUV光刻機(jī)所需的所有基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)到位并開(kāi)始運(yùn)行。 用于 High NA EUV光刻機(jī)的光罩檢測(cè)工作已經(jīng)按計(jì)劃開(kāi)始進(jìn)行。 因此，英特爾無(wú)需做太多輔助支持工作即可將其投入生產(chǎn)。

另外，Mark Phillips還被問(wèn)到了關(guān)于CAR（化學(xué)放大抗蝕劑）與金屬氧化物抗蝕劑的問(wèn)題。 他的說(shuō)法是 CAR 目前還夠用，但可能在未來(lái)某個(gè)時(shí)候需要金屬氧化物光阻劑。英特爾目標(biāo)是要Intel 14A制程技術(shù)能在2026~2027年量產(chǎn)，屆時(shí)將制程技術(shù)進(jìn)一步進(jìn)行提升。

編輯：芯智訊-林子