這兩天不少網(wǎng)友都在熱議工信部披露的新款國(guó)產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)的消息，一時(shí)間，各種關(guān)于國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)大突破言論滿天飛，甚至還有人一看到“套刻≤8nm”就認(rèn)為這是8nm光刻機(jī)，也是令人啼笑皆非。

其實(shí)，早在6月20日，工信部就曾發(fā)布了《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》公示，集成電路生產(chǎn)設(shè)備一欄當(dāng)中，就有公示一款氟化氪光刻機(jī)和一款氟化氬光刻機(jī)。隨后在9月9日，工信部又將該通知重發(fā)了一遍：

氟化氪光刻機(jī)其實(shí)就是老式的248nm光源的KrF光刻機(jī)，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬光刻機(jī)則是193nm光源的ArF光刻機(jī)（也被稱為DUV光刻機(jī)），但披露的這款依然是干式DUV光刻機(jī)，而非更先進(jìn)的浸沒(méi)式DUV光刻機(jī)（也被稱為ArFi光刻機(jī)）。

從官方披露的參數(shù)來(lái)看，該DUV光刻機(jī)分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機(jī)有所提升（分辨率為90nm），但是仍并未達(dá)到可以生產(chǎn)28nm芯片的程度，更達(dá)不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多網(wǎng)友直接把套刻精度跟光刻制造制程節(jié)點(diǎn)水平給搞混了。

光刻精度主要看的是光刻機(jī)的分辨率，65nm的分辨率，那么單次曝光能夠達(dá)到的工藝制程節(jié)點(diǎn)大概就在65nm左右。

套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對(duì)準(zhǔn)精度。眾所周知，芯片的制造過(guò)程，實(shí)際上是將很多層的光刻圖案一層一層的實(shí)現(xiàn)，并堆堆疊而成。一層圖案光刻完成后，需要再在上面繼續(xù)進(jìn)行下一層圖案的光刻，而兩層之間需要精準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)，這個(gè)對(duì)準(zhǔn)的精度就是套刻精度，并不是指能夠制造的芯片的工藝制程節(jié)點(diǎn)。

那么，這個(gè)65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，能夠做到多少納米制程呢？又相當(dāng)于目前ASML什么水平的光刻機(jī)呢？可以對(duì)比看下面的ASML光刻機(jī)的參數(shù)：

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作者：芯智訊-浪客劍