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            博客專欄

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            SK海力士開發(fā)下一代HBM標準,性能將提高30倍

            發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-10-11 來源:工程師 發(fā)布文章

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            8月21日消息, 在SK Icheon Forum 2024論壇上,存儲芯片大廠SK海力士副總裁Ryu Seong-su宣布,該公司正計劃開發(fā)一種新的HBM內存標準,該標準將比現(xiàn)代HBM產品快最多30倍,以期在競爭激烈的HBM市場中獲得領先地位。

            “我們的目標是開發(fā)性能是當前 HBM 的 20 到 30 倍的產品,重點推出差異化產品?!盨K海力士副總裁 Ryu Seong-su說道。不過,Ryu Seong-su并未透露其所提及的下一代HBM是否是HBM4,對比的又是哪款HBM。

            SK海力士的目標是通過在其產品中集成先進的功能來主導HBM領域,這意味著該公司正朝著HBM4產品所預期的巨大創(chuàng)新邁進。HBM4 是獨一無二的,將在單個封裝中利用邏輯和存儲器半導體。SK海力士指出,采用更新的技術對于未來的發(fā)展至關重要,鑒于HBM4所具有的潛在能力,它將為未來定下基調。

            除此之外,SK海力士聲稱,它已經得到了人工智能市場主要科技公司的極大興趣,包括蘋果、Microsoft、Google Alphabet和NVIDIA。

            SK海力士的副總裁聲稱,他們正在滿足這些公司的定制工程要求,通過這一點,SK海力士的目標是保持在市場的領先地位。有趣的是,SK海力士還表達了創(chuàng)建其存儲半導體的意圖,這意味著該公司正在探索向未來擴張的選擇。

            根據(jù)計劃,SK海力士和三星這兩家公司都計劃在 2025 年年中或年底之前發(fā)布各自的 HBM4 產品,以便及時將其集成到下一代產品中英偉達Robin和其他架構中。

            編輯:芯智訊-浪客劍


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            關鍵詞: 芯片

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