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            博客專(zhuān)欄

            EEPW首頁(yè) > 博客 > 僅次于光刻、我國(guó)半導(dǎo)體制造核心技術(shù)突破,核力創(chuàng)芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品交付

            僅次于光刻、我國(guó)半導(dǎo)體制造核心技術(shù)突破,核力創(chuàng)芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品交付

            發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-09-11 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

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            9 月 11 日消息,據(jù)國(guó)家電力投資集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)家電投”)9 月 10 日消息,近日,國(guó)家電投所屬?lài)?guó)電投核力創(chuàng)芯(無(wú)錫)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“核力創(chuàng)芯”)暨國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶(hù)交付

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            國(guó)家電投表示,這標(biāo)志著我國(guó)已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝,補(bǔ)全了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán),為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國(guó)產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。

            據(jù)國(guó)家電投介紹,氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),在集成電路、功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等多種類(lèi)型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中起著關(guān)鍵作用,該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴(yán)重制約了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展,特別是 600V 以上高壓功率芯片長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破,打破了國(guó)外壟斷。

            核力創(chuàng)芯在不到三年的時(shí)間里,突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)壁壘,實(shí)現(xiàn)了 100% 自主技術(shù)和 100% 裝備國(guó)產(chǎn)化,建成了我國(guó)首個(gè)核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺(tái)。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計(jì)近萬(wàn)小時(shí)的工藝及可靠性測(cè)試驗(yàn)證,主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,獲得用戶(hù)高度評(píng)價(jià)。

            查詢(xún)獲悉,國(guó)電投核力創(chuàng)芯(無(wú)錫)科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日,注冊(cè)地位于江蘇省無(wú)錫市,注冊(cè)資本 7022.63 萬(wàn)元。


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