7月17日消息，據三星供應鏈廠商透露，已接獲三星通知，其高頻寬內存（HBM）產品HBM3e已通過英偉達（NVIDIA）認證，預計本季開始供貨。對此，三星將轉移高達30%的現(xiàn)有DRAM產能用來生產HBM3e，以保障對于英偉達等大廠的供應。

此外，三星目前已經向供應鏈伙伴預告需要“提早備貨”相關標準DRAM產品，有相關供應鏈廠商已經接到了通知，這也讓三星大量轉移DRAM產能生產HBM的傳聞更具可信度。

HBM是AI芯片關鍵組件，隨著AI芯片的需求增長，對于HBM的需求也是供不應求。目前在HBM市場，SK海力士占據著領導地位，三星也在持續(xù)發(fā)力HBM，希望能夠追趕上SK海力士。此次成功通過英偉達的驗證，則意味著其能夠大量供貨給英偉達，從而進一步提升在HBM市場的市占率，縮小與SK海力士的差距。

為什么三星需要轉移這么多的DRAM產能來生產HBM呢？因為，即使在相同制程工藝節(jié)點下，相同容量的HBM對于晶圓的消耗也遠高于DDR5。美光此前就曾在其財報中指出，在整個行業(yè)范圍內，HBM3e在同一技術節(jié)點中生產給定數(shù)量的位所消耗的晶圓供應量大約是DDR5的三倍。也就是說，三星轉移現(xiàn)有的30%的DRAM產能來生產HBM，可能也只能帶來這些轉移的總產能的1/3的HBM產能增加。

雖然三星將其現(xiàn)有的30%的DRAM產能轉移生產HBM，將有助于緩解市場上HBM的供應緊張問題，但是也將會造成對標準DRAM產品的供應大幅減少。由于三星是全球DRAM芯片的龍頭，占據整個市場超過45%的份額，勢必將造成全球標準DRAM產品的供給緊張、價格上漲。根據計算，三星此舉將影響全球現(xiàn)有超過13%的DRAM產能不再投入DDR4或DDR5等DRAM產品，從而導致DRAM市場更加供不應求。

據《經濟日報》援引外資投行摩根士丹利的報告稱，DRAM正迎來前所未有的供需失衡“超級周期”，標準型DRAM供應缺口更是高于HBM達23%，預計價格將一路上漲。

南亞科技總經理李培瑛此前曾指出，HBM、DDR5供不應求，有望拉抬DRAM市場，預期南亞科技下半年將維持全產能生產，以滿足市場需求。

李培瑛認為，南亞科技較有把握調漲DDR4價格，主因是三大原廠產能排擠下，將減少DDR4產出，預期將調整相關市場庫存，而在需求大于供給下，南亞科技也會有較大的議價能力。

威剛董事長陳立白也樂觀看待整體DRAM市場，他指出，目前上游原廠對價格態(tài)度依舊相當正向積極，產能配置以毛利率最高的HBM優(yōu)先配置，之后才是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利為導向，看好除了DDR5價格繼續(xù)上漲外，DDR4待庫存去化告一段落，價格也將從8月開始進入第二波漲勢，漲幅至少30%以上。

十銓也預告，DDR5由于原廠的供給量不足，價格仍會持續(xù)微幅上揚，消費級AI應用將會于今年第4季后，隨著相關終端裝置新品陸續(xù)推出，將帶動需求上揚。

根據市場研究機構TrendForce此前發(fā)布的調查報告顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上漲約8~13%，其中PC DRAM 預計環(huán)比上漲3-8%，Server DRAM預計環(huán)比上漲8-13%，Mobile DRAM預計環(huán)比上漲3-8%，Graphics DRAM預計環(huán)比上漲3-8%，Consumer DRAM DDR3&DDR4預計環(huán)比增長3-8%。

值得一提的是，據《韓國經濟日報》引述未具名消息人士報導，三星目前正準備運用4nm制程，量產第六代高帶寬內存——HBM4的邏輯芯粒（logic die）。該邏輯芯粒位于HBM堆疊的最底層，為HBM的核心元件。三星目前是以10nm制程生產HBM3E的邏輯芯粒，現(xiàn)在計劃運用4nm來生產，是希望借此奪得HBM技術的領導地位。

編輯：芯智訊-浪客劍