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            博客專欄

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            SD卡靜電放電防護(hù)方案

            發(fā)布人:濤意隆 時(shí)間:2024-08-13 來源:工程師 發(fā)布文章

            方案簡(jiǎn)介

            SD存儲(chǔ)卡,是一種基于半導(dǎo)體快閃記憶器的新一代記憶設(shè)備,能夠在斷電的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。由于它體積小、大容量、高安全性、高速讀寫等優(yōu)良的特性,被廣泛地于便攜式裝置上使用,例如數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、平板電腦、音頻播放器、便攜式游戲機(jī)、行車記錄儀以及GPS設(shè)備等的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

            由于SD卡的集成性較高,芯片比較脆弱,經(jīng)常性的熱插拔導(dǎo)致其極易受到靜電的影響,此方案采用集成多路并組合兩個(gè)單路ESD靜電二極管防護(hù)元器件,具有導(dǎo)通電壓精度高、響應(yīng)速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低等特性,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,讓后端的電路得到有效全面的防護(hù),且做到成本最優(yōu)化。

            引腳配置

            標(biāo)準(zhǔn)SD卡總共有6條信號(hào)線和3條電源線,分別支持SDSPI兩種模式,兩種模式引腳關(guān)系如所示。

            image.png

            引腳標(biāo)號(hào)

            SD模式

            SPI模式

            名稱

            類型

            功能

            名稱

            類型

            功能

            1

            CD/DAT3

            I/O/PP

            卡檢測(cè)/數(shù)據(jù)線3

            CS

            I

            片選(低有效)

            2

            CMD

            PP

            命令/響應(yīng)

            DI

            I

            數(shù)據(jù)輸入

            3

            VSS1

            S

            電源地

            VSS1

            S

            電源地

            4

            VDD

            S

            電源正極

            VDD

            S

            電源正極

            5

            CLK

            I

            時(shí)鐘

            SCLK

            I

            時(shí)鐘

            6

            VSS2

            S

            電源地

            VSS2

            S

            電源地

            7

            DAT0

            I/O/PP

            數(shù)據(jù)線0

            DO

            O/PP

            數(shù)據(jù)輸出

            8

            DAT1

            I/O/PP

            數(shù)據(jù)線1

            RSV

            -

            -

            9

            DAT2

            I/O/PP

            數(shù)據(jù)線2

            RSV

            -

            -

            其中S:電源供電;I:輸入;O:輸出;PP:引腳使用推挽模式驅(qū)動(dòng)。

            應(yīng)用示例

            image.png

            針對(duì)SD卡靜電防護(hù)方案,由于數(shù)據(jù)線的傳輸速率較高,可選擇低電容低鉗位電壓的ESD器件,我們采用集成六引腳ESD防護(hù)器件對(duì)SD卡的數(shù)據(jù)引腳與電源引腳進(jìn)行防護(hù),型號(hào)可選擇SEUC236T5V4U 、SEUC236T5V4UBSEUC236T5V4UC。三款型號(hào)都為低電容低鉗位電壓集成多路ESD靜電二極管防護(hù)元件,同時(shí)保護(hù)SD卡的五個(gè)引腳免受靜電放電(ESD)低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范, ±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)??蛻艨筛鶕?jù)SD卡的實(shí)際情況選擇器件。

            對(duì)于SD卡的CMD命令線和CLK時(shí)鐘線,我們選擇了一款低電容分立ESD器件SELC2F5V1BT,該器件符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范,可 ±25kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。

            型號(hào)參數(shù)

            規(guī)格型號(hào)

            方向

            工作電壓(V)

            IPP(A)

            鉗位電壓(V)

            結(jié)電容(pF)

            封裝

            SELC2F5V1BT

            Bi

            5

            4.5

            22

            0.3

            DFN1006-2L

            SEUC236T5V4U

            Uni.

            5

            4.5

            12

            0.6

            SOT-23-6L

            SEUC236T5V4UB

            Uni.

            5

            5.5

            14

            0.6

            SOT-23-6L

            SEUC236T5V4UC

            Uni.

            5

            15

            22

            1.5

            SOT-23-6L

            電氣特性表

            At TA = 25 unless otherwise noted

            Parameter

            Symbol

            Conditions

            Min.

            Typ.

            Max.

            Units

            Reverse Stand-off Voltage

            VRWM




            5

            V

            Reverse Breakdown Voltage

            VBR

            IT=1mA

            6.5



            V

            Reverse Leakage Current

            IR

            VRWM=5V



            1

            uA

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=1A; tp=8/20us


            12


            V

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=4.5A; tp=8/20us


            22


            V

            Junction Capacitance

            CJ

            VR=0V; f=1MHz


            0.3


            pF

            表1 SELC2F5V1BT電氣特性表

             

            Parameter

            Symbol

            Conditions

            Min.

            Typ.

            Max.

            Units

            Reverse Stand-off Voltage

            VRWM




            5.0

            V

            Reverse Breakdown Voltage

            VBR

            IT=1mA

            6.0



            V

            Reverse Leakage Current

            IR

            VRWM=5V



            1.0

            uA

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=1A; tp=8/20us


            9.0

            11.0

            V

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=4.5A; tp=8/20us


            12.0

            15.0

            V

            Junction Capacitance

            CJ

            I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


            0.6

            1.0

            pF

            Between I/O; VR=0V; f=1MHz


            0.3

            0.5

            pF

            表2 SEUC236T5V4U電氣特性表

             

            Parameter

            Symbol

            Conditions

            Min.

            Typ.

            Max.

            Units

            Reverse Stand-off Voltage

            VRWM




            5.0

            V

            Reverse Breakdown Voltage

            VBR

            IT=1mA

            6.0



            V

            Reverse Leakage Current

            IR

            VRWM=5V



            1.0

            uA

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=1A; tp=8/20us


            10.0

            12.0

            V

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=5.5A; tp=8/20us


            14.0

            17.0

            V

            Junction Capacitance

            CJ

            I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


            0.6

            1.0

            pF

            Between I/O; VR=0V; f=1MHz


            0.3

            0.5

            pF

            表3 SEUC236T5V4UB電氣特性表

             

            Parameter

            Symbol

            Conditions

            Min.

            Typ.

            Max.

            Units

            Reverse Stand-off Voltage

            VRWM




            5.0

            V

            Reverse Breakdown Voltage

            VBR

            IT=1mA

            6.0.



            V

            Reverse Leakage Current

            IR

            VRWM=5V



            10

            uA

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=1A; tp=8/20us


            10.0

            12.0

            V

            Clamping Voltage

            VC

            IPP=15A; tp=8/20us


            22.0

            25.0

            V

            Junction Capacitance

            CJ

            I/O to GND; VR=0V; f=1MHz


            1.5

            2.0

            pF

            Between I/O; VR=0V; f=1MHz


            0.75

            1.0

            pF

            表4 SEUC236T5V4UC電氣特性表

            總結(jié)與結(jié)論

            由于SD卡在電子產(chǎn)品數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中的便攜性和重要性,保護(hù)SD卡免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)SD卡的優(yōu)選之策,確保移動(dòng)通信的正常運(yùn)行。

             


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            關(guān)鍵詞: 靜電放電防護(hù)

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