在多元化的市場(chǎng)中，我們經(jīng)常會(huì)遇到多種基于不同原理設(shè)計(jì)的磁編碼器芯片，這些芯片如霍爾效應(yīng)、AMR（各向異性磁阻）、TMR（隧道磁阻）以及GMR（巨磁阻）等，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)上各有千秋，但在實(shí)際應(yīng)用中，這些磁編碼器芯片的最終電氣輸出參數(shù)在很多情況下都是類似的。然而，在挑選與其相匹配的磁鐵時(shí)，情況卻大相徑庭。

首先我們從磁鐵看 ，不難發(fā)現(xiàn)磁場(chǎng)的強(qiáng)度并非簡(jiǎn)單地隨著與磁鐵距離的增加而呈線性遞減。實(shí)際上，這種減弱的過程更為復(fù)雜。在接近磁鐵的初期階段，磁場(chǎng)的減弱可能是較為平穩(wěn)和均勻的，然而，當(dāng)距離增加到某個(gè)特定的臨界值時(shí)，磁場(chǎng)的強(qiáng)度將會(huì)出現(xiàn)一個(gè)明顯的拐點(diǎn)，進(jìn)而以更加陡峭的速率直線下降。這種變化模式揭示了磁場(chǎng)與距離之間非線性的復(fù)雜關(guān)系。

然后我們?cè)購男酒脑砜?。?/span>AS5600\SD3012\AS5045等霍爾效應(yīng)芯片主要利用磁場(chǎng)變化對(duì)電流的影響來工作，因此它對(duì)磁鐵的磁場(chǎng)均勻性和穩(wěn)定性有著較高的要求，

SD2315 \MT6816等AMR芯片則基于電阻率隨磁場(chǎng)方向變化而變化的原理，對(duì)磁場(chǎng)非常敏感工作在飽和磁場(chǎng)中，對(duì)磁鐵和安裝要求相對(duì)低些。而TLE5012D等GMR原理的磁編碼器芯片對(duì) 垂直磁場(chǎng)和平行磁場(chǎng)都可以感應(yīng)，所以有時(shí)侯可以離軸應(yīng)用選擇磁環(huán)，但是就是因?yàn)殪`敏所以當(dāng)多圈編碼器使用時(shí)需要做磁隔離來保護(hù)。

根據(jù)以上特點(diǎn)我們可以總結(jié)：

1、都可以使用徑向充磁的磁鐵。

2、霍爾原理推薦N35 6*2.5的磁鐵，默認(rèn)情況下距離不要太遠(yuǎn)1mm±0.2mm,再大的磁鐵效果未必會(huì)太好。

3、AMR GMR原理的磁編，磁鐵直徑可以更大些，比如D8或者D10 等，而且距離可以到2mm.

4、中空磁環(huán)應(yīng)用時(shí)，霍爾原理的磁極寬度一般會(huì)有要求，可以參考對(duì)應(yīng)的霍爾盤距離。而GMR或者AMR原理的 通常是單對(duì)極的磁環(huán)。