集成電路制作工藝通常包括以下六大步驟：

排版（Layout）：設(shè)計芯片的布局，確定各個功能模塊的位置和連接方式。

掩膜制作（Mask Fabrication）：使用蝕刻光刻工藝在硅片上制作掩膜，形成電路的圖案。

沉積和蝕刻（Deposition and Etching）：在硅片表面沉積材料，然后使用蝕刻工藝去除多余材料，形成電路結(jié)構(gòu)。

離子注入（Ion Implantation）：通過離子注入工藝向硅片中摻雜雜質(zhì)，改變硅片的電學(xué)性質(zhì)。

金屬化（Metallization）：在硅片上沉積金屬，用于連接芯片上的不同功能模塊。

封裝（Packaging）：將制作好的芯片封裝在封裝體中，用于連接外部電路和提供保護(hù)。

以上六個步驟是集成電路制作工藝中常見的步驟，不同類型的集成電路可能會有所差異。