5月24日消息，隨著人工智能芯片需求大漲，配套的高帶寬內(nèi)存（HBM）也是供不應(yīng)求。據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)導(dǎo)，SK集團(tuán)（SK Group）董事長(zhǎng)兼執(zhí)行長(zhǎng)崔泰源（Chey Tae-won）23日在東京舉行的“Future of Asia”論壇上接受采訪時(shí)表示，若有海外投資必要，會(huì)考慮在日本及美國(guó)建晶圓廠。

崔泰源還表示，SK集團(tuán)會(huì)進(jìn)一步強(qiáng)化與日本半導(dǎo)體制造造設(shè)備廠商、半導(dǎo)體材料供應(yīng)商的合作關(guān)系，并考慮加碼投資日本。他說(shuō)，在先進(jìn)半導(dǎo)體制造方面，跟日本供應(yīng)商合作至關(guān)重要。

對(duì)于選擇何地作為新的芯片制造基地時(shí)，崔泰源強(qiáng)調(diào)重點(diǎn)在于能否取得干凈能源，因?yàn)榭蛻?hù)對(duì)降低供應(yīng)鏈溫室效應(yīng)氣體排放量的要求極嚴(yán)。

SK海力士高管Kwon Jae-soon曾于5月21日接受英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)指出，SK海力士HBM3E良率快達(dá)80%目標(biāo)，投產(chǎn)所需時(shí)間也縮短了50%。Kwon強(qiáng)調(diào)，今年目標(biāo)是生產(chǎn)八層堆疊的HBM3E，因?yàn)檫@是客戶(hù)最需要的。為了在AI時(shí)代保持領(lǐng)先，提升良率越來(lái)越重要。

目前，SK海力士2025年的HBM產(chǎn)能幾乎訂購(gòu)一空。明年SK海力士計(jì)劃與臺(tái)積電合作，量產(chǎn)更先進(jìn)HBM4芯片。

編輯：芯智訊-林子