今年這七座晶圓廠或延期建設(shè)
近兩年,半導(dǎo)體行業(yè)受到下行周期市場(chǎng)復(fù)蘇不及預(yù)期、資金緊張等多方面影響,英特爾、臺(tái)積電、三星等多家大廠在繼續(xù)維持?jǐn)U產(chǎn)大勢(shì)下,不斷調(diào)整放緩晶圓廠建設(shè)速度和節(jié)奏,以更好服務(wù)于企業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展目標(biāo)。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì),今年上半年以來,英特爾德國(guó)1nm芯片廠和美國(guó)俄亥俄州建廠兩座工廠延遲建設(shè),三星韓國(guó)平澤芯片廠和美國(guó)泰勒晶圓廠延期,臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州兩座工廠推遲投產(chǎn)。另外,Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC晶圓廠或推遲到2025年開建。
英特爾德國(guó)1nm芯片廠和美國(guó)俄亥俄州建廠延遲建設(shè)據(jù)外媒消息,英特爾位于德國(guó)馬格德堡附近Fab 29.1和Fab 29.2的建設(shè)被推遲,因?yàn)闅W盟補(bǔ)貼審批待定以及需要移除黑土并重新利用。開工時(shí)間由2024年夏天推遲至2025年5月。
此前消息顯示,該芯片廠建設(shè)計(jì)劃最初開始于2023年上半年,但由于補(bǔ)貼延遲,建設(shè)被推遲到2024年夏天。為此,德國(guó)財(cái)政部長(zhǎng)邁克爾·里希特(Michael Richter)極力推動(dòng),確保英特爾獲得所需的資金。2023年,聯(lián)邦政府批準(zhǔn)了價(jià)值99億歐元的國(guó)家援助作為英特爾300億歐元的項(xiàng)目補(bǔ)貼,但這還有待歐盟確認(rèn)。
另外,施工現(xiàn)場(chǎng)的表土最早要到2025年5月才能清除,據(jù)悉英特爾未來的建筑工地含有優(yōu)質(zhì)黑土,必須按照法律規(guī)定小心清除并重新利用。州政府將負(fù)責(zé)清除表層40厘米的土壤,而英特爾則負(fù)責(zé)清除超過此深度的額外土壤。
據(jù)悉,英特爾的Fab 29.1和Fab 29.2原計(jì)劃于2027年底開始運(yùn)營(yíng),或?qū)⒉捎梅浅O冗M(jìn)的制造工藝,可能為Intel 14A(1.4nm)和Intel 10A(1nm)工藝節(jié)點(diǎn)。但英特爾現(xiàn)在估計(jì)“建造這兩家工廠需要四到五年時(shí)間”,“因此將于2029年至2030年開始生產(chǎn)”。
此前英特爾官方消息顯示,英特爾節(jié)點(diǎn)命名約定中的“A”后綴代表埃,10埃轉(zhuǎn)換為1納米。英特爾尚未透露有關(guān) 10A/1nm 節(jié)點(diǎn)的任何細(xì)節(jié),但告訴我們,它將新節(jié)點(diǎn)歸類為至少具有兩位數(shù)的功耗/性能改進(jìn)。英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 告訴我們,新節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)幅度大約為 14% 到 15%,因此我們可以預(yù)期 10A 節(jié)點(diǎn)將至少比 14A 節(jié)點(diǎn)有同樣程度的改進(jìn)。
另外,今年2月外媒消息,由于市場(chǎng)需求低迷和美國(guó)補(bǔ)貼發(fā)放延遲,英特爾推遲了美國(guó)俄亥俄州200億美元規(guī)模的芯片項(xiàng)目。
2022年1月,英特爾宣布計(jì)劃初始投資超過200億美元,在俄亥俄州利金縣建設(shè)兩家新的尖端晶圓廠。該計(jì)劃從2025年開始芯片制造。受到多方因素影響,據(jù)據(jù)參與該項(xiàng)目的人士稱,俄亥俄州一號(hào)項(xiàng)目的Fab1和Fab2兩座工廠目前推出至2026~2027年完工,約2027~2028年正式投運(yùn)。
三星韓國(guó)平澤芯片廠和美國(guó)泰勒晶圓廠延期今年2月消息,三星透露,三星已部分停止其位于京畿道平澤市的第五家半導(dǎo)體工廠的建設(shè)。
據(jù)悉,平澤園區(qū)是三星電子的半導(dǎo)體基地,涵蓋內(nèi)存和系統(tǒng)半導(dǎo)體、芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和后處理。三星電子原計(jì)劃在平澤園區(qū)85.5萬平方米的場(chǎng)地上建設(shè)六家半導(dǎo)體工廠,打造全球最大的半導(dǎo)體中心。目前,平澤園區(qū)的P1、P2和P3工廠擁有最先進(jìn)的 DRAM、NAND 閃存和代工生產(chǎn)線,而P4和P5工廠的建設(shè)正在進(jìn)行中。
三星電子當(dāng)時(shí)表示,停工是為了進(jìn)一步檢查。但行業(yè)人士透露,三星調(diào)整P4、P5晶圓廠新生產(chǎn)線是為了優(yōu)先建造P4廠PH2產(chǎn)線。據(jù)悉,P4廠或?qū)⑴d建PH3產(chǎn)線,生產(chǎn)高端DRAM等以滿足市場(chǎng)需求。
另外,據(jù)外媒消息報(bào)道,三星位于美國(guó)得克薩斯州的工廠也延期了。據(jù)悉,三星電子已將位于美國(guó)德克薩斯州泰勒市的晶圓的量產(chǎn)時(shí)間從2024年底推遲到了2026年,原因可能是考慮到晶圓代工市場(chǎng)增勢(shì)放緩而調(diào)整了建設(shè)速度。延遲是由于與美國(guó)政府補(bǔ)貼和各種許可復(fù)雜性相關(guān)的問題造成的。經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定性似乎也影響了三星電子在該地區(qū)的投資決策。
據(jù)悉,三星泰勒晶圓廠項(xiàng)目始于2022年上半年,原計(jì)劃于2024年下半年量產(chǎn),主要聚焦4nm芯片。在2023年12月末,三星電子代工(芯片代工)業(yè)務(wù)總裁崔時(shí)永在美國(guó)IEDM 2023上表示,泰勒工廠將于2024年下半年開始首次代工服務(wù),并于2025年開始量產(chǎn),這表明投資計(jì)劃已調(diào)整。并且,今年1月外媒最新消息顯示,三星電子原定于2023年末在泰勒晶圓廠安裝設(shè)備,現(xiàn)在該安裝計(jì)劃已推遲到2024年上半年,這或?qū)⒘慨a(chǎn)時(shí)間再次后延。
臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州兩座工廠推遲投產(chǎn)4月9日,臺(tái)積電在官網(wǎng)宣布計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠,建成之后采用2nm或更先進(jìn)的制程工藝為客戶代工晶圓,在亞利桑那州鳳凰城的全部資本支出,也將因此超過650億美元。
與此同時(shí),業(yè)界還關(guān)注到,臺(tái)積電公布的在亞利桑那州的第一座和第二座晶圓廠投產(chǎn)時(shí)間較最初的計(jì)劃有推遲。
在官網(wǎng)上,臺(tái)積電披露,他們?cè)趤喞D侵莸氖鬃A廠正推進(jìn)到2025年上半年投產(chǎn),采用4nm制程工藝為相關(guān)的客戶代工晶圓;第二座除了此前宣布的3nm制程工藝,也將增加更先進(jìn)的2nm制程工藝,將在2028年開始批量生產(chǎn)。
此前2020年5月15日宣布在亞利桑那州建設(shè)晶圓廠時(shí),臺(tái)積電計(jì)劃在2021年開始建設(shè),目標(biāo)量產(chǎn)時(shí)間是2024年。2022年12月6日,臺(tái)積電宣布工廠的制程工藝由此前計(jì)劃的5nm升級(jí)到4nm時(shí),他們?nèi)员硎居?jì)劃在2024年量產(chǎn)。
亞利桑那州第二座晶圓廠則是在2020年12月份宣布,原定計(jì)劃于2026年量產(chǎn),主要采用3nm制程工藝為客戶代工晶圓。最新披露的2028年較原計(jì)劃就推遲了近兩年。
而對(duì)于計(jì)劃在亞利桑那州建設(shè)的第三座晶圓廠,臺(tái)積電尚未披露動(dòng)工的時(shí)間,但他們提到將采用2nm或更先進(jìn)的制程工藝,計(jì)劃在本世紀(jì)30年代末開始投產(chǎn)。
Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC晶圓廠或推遲到2025年開建今年延遲動(dòng)工的還有Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠。
2023年2月,Wolfspeed公司與采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。雙方計(jì)劃建立聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室,推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和設(shè)備技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。該戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系還包括采埃孚一項(xiàng)重大投資,支持在德國(guó)恩斯多夫建設(shè)世界上最大和最先進(jìn)的200毫米碳化硅晶圓工廠。
據(jù)悉,計(jì)劃位于薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠由Wolfspee主導(dǎo)建設(shè),預(yù)計(jì)耗資約27.5億歐元(約合人民幣215億),目前已獲得德國(guó)聯(lián)邦政府3.6億歐元(約合人民幣28億)及薩爾州政府1.55億歐元(約合人民幣12億)的補(bǔ)貼。Wolfspeed還在申請(qǐng)《歐洲芯片法案》的資金援助。采埃孚將給Wolfspeed提供數(shù)億美元的財(cái)務(wù)投資,以換取該工廠的少數(shù)股份。
消息人士透露,Wolfspeed希望在奠基儀式前獲得更多資金,如果無法從該法案中獲得援助,該項(xiàng)目極有可能會(huì)延遲。該工廠原計(jì)劃于2024年夏季開始建設(shè),但據(jù)Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe透露,如今可能要到2025年才會(huì)啟動(dòng)建設(shè)。
*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。