國(guó)際首次，我國(guó)成功研制出這一芯片！
發(fā)布人：旺材芯片
時(shí)間：2024-04-19
來(lái)源：工程師
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4月18日，據(jù)電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室消息，該實(shí)驗(yàn)室研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國(guó)際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片。這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，相關(guān)成果近日發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》上。
據(jù)了解，量子光源芯片是量子互聯(lián)網(wǎng)的核心器件，可以看作點(diǎn)亮“量子房間”的“量子燈泡”，可讓互聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)擁有進(jìn)行量子信息交互的能力。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國(guó)際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長(zhǎng)范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破，輸出波長(zhǎng)范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。來(lái)源：科技日?qǐng)?bào)
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