3月21日消息，在AI芯片熱潮的帶動(dòng)下，先進(jìn)封裝需求大爆發(fā)，而目前在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，臺(tái)積電可謂是一家獨(dú)大，拿下了大部分的AI芯片的先進(jìn)封裝訂單。不過(guò)，韓國(guó)芯片巨頭三星電子也在積極切入先進(jìn)封裝領(lǐng)域，近日還喊出了今年先進(jìn)封裝營(yíng)收將挑戰(zhàn)突破1億美元新高的口號(hào)。

據(jù)路透社、韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo)，在3月20日召開(kāi)的三星年度股東大會(huì)上，三星高管表示，盡管今年經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不確定性仍高，不過(guò)隨著AI大時(shí)代來(lái)臨，科技創(chuàng)新也帶來(lái)了更多新機(jī)遇，將積極拓展相關(guān)業(yè)務(wù)，包括AI內(nèi)存、先進(jìn)封裝、智慧終端（On-device AI）、機(jī)器人和數(shù)字醫(yī)療等新興領(lǐng)域，激發(fā)新的成長(zhǎng)動(dòng)能。

三星于2023年12月成立了先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)（AdVanced Package Business Team），為裝置解決方案（Device Solutions）事業(yè)群轄下的部門。

根據(jù)此前據(jù)韓國(guó)媒體The Elec的報(bào)道顯示，為增強(qiáng)先進(jìn)封裝代工能力，三星開(kāi)始導(dǎo)入混合鍵合（hybrid bonding）技術(shù)，預(yù)計(jì)用于下一代X-Cube、SAINT等先進(jìn)封裝。

據(jù)了解，混合鍵合與現(xiàn)有鍵合方法相比，可提高I/O和布線長(zhǎng)度。三星最新投資是為了加強(qiáng)先進(jìn)封裝能力，推出采用混合鍵合的X-Cube。業(yè)界猜測(cè)，混合鍵合也可應(yīng)用于三星今年開(kāi)始推出的SAINT（三星先進(jìn)互連技術(shù)）平臺(tái)，包括三種3D堆疊技術(shù)，即SAINT S、SAINT L和SAINT D。

其中，SAINT S是將SRAM垂直堆疊在CPU等邏輯芯片上；SAINT L是將邏輯芯片堆疊在邏輯芯片，或應(yīng)用處理器（AP）堆疊；SAINT D則是DRAM和CPU、GPU等邏輯芯片垂直堆疊。

據(jù)了解，晶圓代工龍頭臺(tái)積電的SoIC（系統(tǒng)整合芯片）也是提供混合鍵合的3D封裝服務(wù)，設(shè)備同樣也是由應(yīng)用材料和貝思半導(dǎo)體共同提供。英特爾也將混合鍵結(jié)技術(shù)應(yīng)用在其3D封裝技術(shù)Foveros Direct，并于去年商業(yè)化。

業(yè)界預(yù)期，三星對(duì)混合鍵結(jié)設(shè)施的投資有望贏得NVIDIA和AMD等大客戶青睞，因?yàn)闊o(wú)晶圓廠客戶對(duì)混合鍵結(jié)需求正不斷增加。

另外，目前大熱的HBM（高帶寬內(nèi)存）的生產(chǎn)也依賴于先進(jìn)封裝技術(shù)。作為目前僅有的三大HBM供應(yīng)商之一，三星也將為英偉達(dá)的AI芯片供應(yīng)HBM，不過(guò)目前三星的HBM仍未通過(guò)英偉達(dá)的認(rèn)證。數(shù)名分析人士指出，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率卻已達(dá)到了60~70%。

在此次的三星年度股東大會(huì)上，三星共同執(zhí)行長(zhǎng)慶桂顯（Kye-Hyun Kyung）表示，投資先進(jìn)封裝效果將在下半年全面顯現(xiàn)，并利用IC設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)的一條龍服務(wù)優(yōu)勢(shì)，全力搶攻高頻寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)。

編輯：芯智訊-浪客劍