3月15日消息，據(jù)彭博社引述未具名消息人士報(bào)道稱，美國(guó)商務(wù)部接下來幾周內(nèi)即將宣布《芯片與科學(xué)法案》針對(duì)三星和臺(tái)積電補(bǔ)貼，預(yù)計(jì)臺(tái)積電將獲得超過50億美元的補(bǔ)貼款，而三星將獲得60億美元的補(bǔ)貼款。

根據(jù)之前的資料顯示，臺(tái)積電在2020年宣布美國(guó)在亞利桑州建設(shè)一座5nm晶圓廠之后，2022年12月，臺(tái)積電在其亞利桑那州的晶圓廠一期項(xiàng)目召開首批機(jī)臺(tái)進(jìn)廠典禮上，宣布將制程升級(jí)為4nm，同時(shí)臺(tái)積電宣布啟動(dòng)二期工程，預(yù)計(jì)于2026年開始生產(chǎn)3nm制程技術(shù)。兩期工程總投資金額激增至400億美元。

三星則在2021年宣布在得克薩斯州泰勒郡（Taylor）新廠投資170億美元建一座5nm晶圓廠，就在三星現(xiàn)有奧斯?。ˋustin）廠附近。

顯然，臺(tái)積電在美國(guó)的投資金額超過了三星投資金額的1倍多，那么為何三星獲得的補(bǔ)貼會(huì)比臺(tái)積電要高出10億美元呢？

消息人士說法，三星接受美國(guó)聯(lián)邦政府補(bǔ)助同時(shí)，還承諾重金加碼投資美國(guó)。目前不清楚三星何處額外投資。

英特爾已經(jīng)斥200億美元擴(kuò)建亞利桑那州晶圓廠，并投資35億美元升級(jí)新墨西哥州工廠，隨后還在俄亥俄州投資200億美元興建大型晶圓廠，承諾“在未來十年內(nèi)可能增長(zhǎng)到高達(dá) 1000 億美元”，預(yù)計(jì)該新廠有望成為全球最大的芯片工廠。但由于芯片市場(chǎng)放緩，以及聯(lián)邦資金投入緩慢，英特爾俄亥俄州工廠的竣工已經(jīng)推遲到了2026年。

最新的傳聞顯示，美國(guó)政府考慮將在下周宣布補(bǔ)助英特爾超過100億美元，將是美國(guó)芯片法案的最大補(bǔ)貼。

編輯：芯智訊-林子