近日，嘉興斯達(dá)微電子有限公司高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目傳出新動(dòng)向。浙江省發(fā)改委公布了2024年浙江省擴(kuò)大有效投資“千項(xiàng)萬(wàn)億”工程，南湖區(qū)14個(gè)重大項(xiàng)目入選，其中嘉興斯達(dá)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等3個(gè)項(xiàng)目將于今年投產(chǎn)。

公開資料顯示，嘉興斯達(dá)高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)位于嘉興南湖區(qū)，總投資20億元，總用地面積279畝，新增建筑面積20.6萬(wàn)平方米，新建生產(chǎn)廠房、動(dòng)力樓、危化倉(cāng)庫(kù)等建構(gòu)筑物，購(gòu)置包括光刻機(jī)、涂膠顯影機(jī)等工藝設(shè)備。建設(shè)單位為嘉興斯達(dá)微電子有限公司，建設(shè)工期為2022-2024年，項(xiàng)目于2022年1月3日開工，計(jì)劃2024年3月投入使用。項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)36萬(wàn)片功率芯片生產(chǎn)能力。

據(jù)悉，嘉興斯達(dá)微電子有限公司成立于2021年2月，是斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司全資子公司，后者成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)。