2月29日消息，據(jù)外媒Tomshardware報(bào)導(dǎo)，ASML與英特爾于本周宣布達(dá)成了High NA EUV的重要里程碑。ASML已向英特爾交付的最先進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)Twinscan EXE:5000的主要部件已經(jīng)啟動，即首度打開光源并使光線到達(dá)晶圓上的抗蝕層，并開始運(yùn)作，表示光源和反射鏡已正確對準(zhǔn)。這是High-NA EUV光刻機(jī)啟動過程中的關(guān)鍵一步，盡管目前尚未達(dá)到峰值性能。

ASML的High-NA EUV曝光機(jī)將提供0.55數(shù)值孔徑的投影光學(xué)器件，單次曝光分辨率可低至8nm，比單次曝光13.5nm分辨率的典型Low-NA EUV的分辨率更高。目前第一套High-NA EUV系統(tǒng)安裝在在ASML荷蘭Veldhoven實(shí)驗(yàn)室，第二套系統(tǒng)則正在英特爾的俄勒岡州晶圓廠組裝。

ASML發(fā)言人Marc Assinck解釋，從技術(shù)上講，這種“第一束光”實(shí)際上是“晶圓上第一束光”，表示光源已經(jīng)開始工作，現(xiàn)在我們在晶圓上測試對于光子的“抗蝕”。ASML專家仍在荷蘭校準(zhǔn)High NA EUV系統(tǒng)，因此該機(jī)器尚未列印出第一個(gè)測試圖案。

報(bào)道稱，英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher在加利福尼亞州圣何塞舉行的SPIE曝光會議上首度透露這一進(jìn)展，預(yù)計(jì)這些新系統(tǒng)將主要用于制程開發(fā)。

這個(gè)里程碑被稱為“硅片上的第一道曙光”，標(biāo)志著ASML和英特爾在推進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)邁出重要一步，預(yù)計(jì)未來幾年，包括英特爾、臺積電和三星在內(nèi)的領(lǐng)先芯片制造商都將采用High NA EUV光刻技術(shù)，英特爾已表示將在Intel 14A制程采用該設(shè)備。

編輯：芯智訊-浪客劍