集成電路領(lǐng)域高速發(fā)展，對芯片制造工藝提出了更具挑戰(zhàn)的要求，其中就包括如何用絕緣介質(zhì)在各個薄膜層[1]之間進行均勻無孔的填充，以提供充分有效的隔離保護。為了滿足以上需求，HDPCVD設備已經(jīng)成為介質(zhì)薄膜沉積工藝的重要設備。

包括淺槽隔離（Shallow-Trench-Isolation，STI），金屬前絕緣層（Pre-Metal-Dielectric，PMD），金屬層間絕緣層（Inter-Metal-Dielectric，IMD）等。

Orion Proxima作為北方華創(chuàng)推出的國產(chǎn)自研高密度等離子體化學氣相沉積設備，主要應用于12英寸集成電路芯片的淺溝槽絕緣介質(zhì)填充工藝。此款設備通過沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對高深寬比溝槽間隔的絕緣介質(zhì)填充，借助北方華創(chuàng)在刻蝕技術(shù)上的積累，發(fā)揮其高沉積速率、優(yōu)異的填孔能力和低溫下進行反應得到高致密的介質(zhì)薄膜的優(yōu)勢，獲得多家業(yè)內(nèi)客戶關(guān)注。

正如北方華創(chuàng)一直秉承“以客戶為中心”的企業(yè)核心價值觀，華創(chuàng)人始終以務實的精神堅持“急客戶之所急、想客戶之所想”作為技術(shù)創(chuàng)新永續(xù)驅(qū)動力?，F(xiàn)階段，Orion Proxima技術(shù)性能在迭代升級中已達業(yè)界先進水平：通過靈活可控的軟件系統(tǒng)調(diào)度優(yōu)化與自主研發(fā)特有傳輸平臺的結(jié)合，助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)能的大幅提升，取得雙贏；通過提供不同的硬件配置方案，滿足了包括填孔能力、膜層質(zhì)量、顆?？刂频裙に囆枨蟮耐瑫r，更實現(xiàn)了對邏輯、存儲及其他特色工藝領(lǐng)域客戶的全覆蓋。

在創(chuàng)新中突破、在專業(yè)中精進，Orion Proxima HDPCVD通過優(yōu)化機臺結(jié)構(gòu)，縮小了整機占地面積，節(jié)省了客戶空間運營成本；通過優(yōu)化排氣管路設計，提高了清洗效率；通過優(yōu)化開蓋方式，縮減了人力維護開支，提高了設備生產(chǎn)效率。

北方華創(chuàng)正基于20余年沉積工藝技術(shù)的深厚積累，全面布局多類薄膜產(chǎn)品，致力于為客戶提供全面的薄膜產(chǎn)品解決方案。

來源：半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟