近日，昕感科技面向新能源領(lǐng)域推出一款重量級SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0），實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的超低導通電阻規(guī)格1200V/7mΩ。

眾所周知，對于電動汽車來說，電驅(qū)動系統(tǒng)是最為核心的部分。而在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，MOSFET通常作為電機逆變器的關(guān)鍵元件，將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源，以驅(qū)動三相電機運轉(zhuǎn)。在這過程中，從電能到機械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動系統(tǒng)效率就顯得極其重要。

相對于傳統(tǒng)的硅基MOSFET來說，SiC MOSFET得益于SiC材料的加持，具有更低的導通電阻、更低的開關(guān)損耗、更高的擊穿電場強度和高溫穩(wěn)定性，可以使電機驅(qū)動系統(tǒng)具有更高的效率、更高的功率密度，并且擁有更長的使用壽命。

目前，眾多的電動汽車都開始向800V高壓平臺遷移，需要 800V—1200V的功率元器件支持。而更高效的1200V SiC MOSFET正是電動汽車800V高壓平臺必不可少的關(guān)鍵器件。

對于SiC MOSFET來說，導通電阻是一項重要的性能指標，反映了器件在導通狀態(tài)下的損耗和效率。在1200V的工作電壓下，SiC MOSFET通常具備更低的導通電阻，可以實現(xiàn)更高的功率密度和更低的能量損耗。

雖然目前一些國際大廠的SiC MOSFET的導通電阻可以控制在1200V/3mΩ以下，但是國產(chǎn)SiC MOSFET廠商由于起步相對較晚，目前導通電阻水平多數(shù)都還是在1200V/10mΩ以上。顯然，昕感科技的1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片已經(jīng)達到了業(yè)界領(lǐng)先的水平。

據(jù)介紹，昕感這款新品基于車規(guī)級工藝平臺，采用先進結(jié)構(gòu)和制造工藝，兼容18V柵壓驅(qū)動，配合TO-247-4L Plus封裝，有力提升了國產(chǎn)碳化硅器件的性能。新產(chǎn)品瞄準新能源汽車主驅(qū)等亟需高壓大電流與低損耗的功率半導體開關(guān)應(yīng)用，助力新能源領(lǐng)域快速更新?lián)Q代，為國家“碳達峰、碳中和”目標的實現(xiàn)做出貢獻。

昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封裝，具備開爾文源極和低熱阻等優(yōu)勢，能夠顯著降低開關(guān)損耗及震蕩，提升器件散熱表現(xiàn)。

昕感新品工作電流可達300A以上，具有正溫度系數(shù)，可方便實現(xiàn)大電流并聯(lián)。同時，昕感新品的漏電流極低（<1μA@1200V），具備優(yōu)越的高壓阻斷特性。

△N2M120007PP0器件部分靜態(tài)特性

昕感新品已完成一系列動態(tài)測試和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同條件下正常動態(tài)開關(guān)。

△N2M120007PP0器件800V/200A下的開關(guān)波形

除TO-247-4L Plus等單管封裝外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封裝進定制化功率模塊，便于廣泛實現(xiàn)其在汽車主驅(qū)等新能源領(lǐng)域中的應(yīng)用。

昕感科技聚焦于第三代半導體碳化硅功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國內(nèi)領(lǐng)先和具有國際影響力的功率半導體變革引領(lǐng)者。昕感科技擁有從器件到模塊再到應(yīng)用的全流程高度定制化技術(shù)能力，能夠匹配各領(lǐng)域客戶需求，幫助客戶快速建立差異化競爭優(yōu)勢。

昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款碳化硅器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，也標志著在此工藝平臺上開發(fā)的多款更低導通電阻器件達到車規(guī)級可靠性水平。

編輯：芯智訊-浪客劍