當(dāng)?shù)貢r間12月21日，荷蘭光刻機大廠ASML通過社交媒體X平臺宣布，其首套High-NA EUV光刻機正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨，將向英特爾進(jìn)行交付。

ASML在聲明中稱：“我們很高興、也很自豪，能夠向英特爾交付我們的第一個高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)。”

自2017年ASML的第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm、5nm、3nm工藝，臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.33 數(shù)值孔徑（NA）的EUV光刻機來進(jìn)行生產(chǎn)，該類型光刻機的分辨率可以達(dá)到8nm。

目前，隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程的相繼量產(chǎn)，目前這三大先進(jìn)制程制造廠商都在積極投資2nm制程及更先進(jìn)的埃米級制程的研發(fā)，以滿足未來高性能計算等先進(jìn)芯片需求，并在晶圓代工市場的競爭當(dāng)中取得優(yōu)勢。而2nm及以下的尖端工藝的實現(xiàn)則可能需要依賴于ASML新一代的0.55數(shù)值孔徑 (High-NA) EUV光刻機EXE:5000系列。

相對于0.33 NA的EUV光刻機來說，配備0.55 NA透鏡的High-NA EUV光刻機的分辨率可以達(dá)到更高的8nm分辨率，同時設(shè)備的體積也更大，各類組件裝在250個單獨的板條箱中運輸，其中包括13 個大型集裝箱，組裝后的High-NA EUV光刻機將比卡車還要大，成本也更是高達(dá)3億至4億美元。

英特爾于 2022 年率先向ASML訂購了第一臺High-NA EUV光刻機，其他已訂購High-NA EUV光刻機的芯片制造商還包括臺積電、三星、SK 海力士和美光。

根據(jù)規(guī)劃，英特爾將在2024年上半年量產(chǎn)Intel 20A制程，下半年將量產(chǎn)更先進(jìn)的Intel 18A制程。臺積電、三星都將在2025年量產(chǎn)2nm制程。

英特爾此前曾表示，首套High-NA EUV曝光機將用于學(xué)習(xí)如何生產(chǎn)Intel 18A先進(jìn)制程，有望使英特爾領(lǐng)先對手臺積電和三星。因High-NA EUV曝光機與標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機差異不小，需大量修正基礎(chǔ)設(shè)施，提升使用經(jīng)驗，故領(lǐng)先對手幾季部署對英特爾是很大優(yōu)勢。

編輯：芯智訊-林子