12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等頭部存儲(chǔ)芯片的持續(xù)擴(kuò)大減產(chǎn)的背景之下，11月NAND Flash wafer價(jià)格漲幅超過25%。由于原廠減產(chǎn)后供給減少，再加上原廠主動(dòng)進(jìn)行漲價(jià)，部分存儲(chǔ)模塊廠只能接受原廠漲價(jià)，特別是在“原廠還會(huì)繼續(xù)漲價(jià)”的預(yù)期心理下，存儲(chǔ)模組廠商持續(xù)搶貨，將進(jìn)一步推升了12月的價(jià)格漲幅。

據(jù)了解，作為NAND Flash龍頭大廠，三星從第二季起開始持續(xù)降低NAND Flash產(chǎn)量，9月再擴(kuò)大幅度至總產(chǎn)能的50%，主要集中在128層堆疊以下產(chǎn)品，這也為整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)奠定了漲價(jià)的信心。

由于存儲(chǔ)芯片原廠減產(chǎn)幅度超乎預(yù)期，加上客戶端庫(kù)存普遍偏少，促使NAND Flash價(jià)格持續(xù)上漲。然而，今年下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate 60系列等也刺激其它中國(guó)手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間需求涌入，推動(dòng)第四季合約價(jià)格的上漲。

這一輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲最劇烈的莫過于NAND Flash wafer的價(jià)格。根據(jù)TrendForce的最新的調(diào)研結(jié)果顯示，從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況來看，NAND模組廠商庫(kù)存因客戶追單而快速落底，導(dǎo)致模組廠轉(zhuǎn)而向原廠要求擴(kuò)大供應(yīng)，然而，原廠持續(xù)維持減產(chǎn)策略，供不應(yīng)求致使第四季NAND Flash wafer價(jià)格反彈強(qiáng)烈。從TrendForce的數(shù)據(jù)來看，NAND Flash wafer 11月單月漲幅超過25%。

業(yè)內(nèi)人士透露，在目前供給有限，且需求大幅增加的情況下，模塊廠只能接受原廠的強(qiáng)勢(shì)漲幅。而業(yè)界因?yàn)轭A(yù)期原廠會(huì)持續(xù)漲價(jià)，導(dǎo)致“大家就是一直搶貨”。

從目前的市況來看，TrendForce認(rèn)為12月NAND Flash在供給吃緊下，價(jià)格將持續(xù)推升。但第一季價(jià)格是否持續(xù)大幅拉升，依舊要看原廠減產(chǎn)策略與市場(chǎng)需求狀況而定。

據(jù)悉，業(yè)界傳出的消息顯示，有原廠因下游拉貨狀況火熱，已開始考慮增加產(chǎn)能。一旦原廠提早增產(chǎn)，加上需求表現(xiàn)未明顯好轉(zhuǎn)，價(jià)格上漲幅度將明顯受到限縮。

編輯：芯智訊-林子