12月11日消息，根據(jù)日本兩大芯片制造商羅姆半導(dǎo)體（ROHM）和東芝電子設(shè)備與存儲(chǔ)公司上周五發(fā)布的聯(lián)合聲明透露，雙方在功率半導(dǎo)體制造和增加批量生產(chǎn)方面的合作計(jì)劃已得到日本經(jīng)濟(jì)部的支持，雙方將共計(jì)獲得 1,294 億日元（9.02 億美元）的補(bǔ)貼，以支持其在日本國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)。

根據(jù)聲明顯示，羅姆和東芝將分別對(duì)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件進(jìn)行密集投資，有效增強(qiáng)其供應(yīng)能力，并實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)利用對(duì)方的生產(chǎn)能力。

其中，羅姆計(jì)劃將大部分投資（總計(jì) 19.9 億美元）將用于其主導(dǎo)的 SiC（碳化硅） 晶圓生產(chǎn)。東芝則計(jì)劃投入 6.84億美元開發(fā)更傳統(tǒng)的硅基功率芯片。羅姆和東芝兩家公司的總投資將達(dá)3883 億日元（26.7 億美元，其中包括補(bǔ)貼），將有助于日本擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能。

羅姆表示：“我們專注于電力和模擬解決方案，通過(guò)滿足客戶對(duì)節(jié)能和產(chǎn)品小型化的需求來(lái)解決社會(huì)問(wèn)題”，并加快實(shí)現(xiàn)無(wú)碳目標(biāo)。SiC功率器件是節(jié)能的關(guān)鍵。自全球首次大規(guī)模生產(chǎn)SiC MOSFET以來(lái)，羅姆一直在不斷開發(fā)行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)。其中包括羅姆最新的第4代SiC MOSFET，它將被用于許多電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備。作為其優(yōu)先項(xiàng)目之一，羅姆正在致力于SiC業(yè)務(wù)，其中包括積極和持續(xù)的投資，以提高SiC的生產(chǎn)能力和滿足強(qiáng)勁的需求增長(zhǎng)。

東芝電子設(shè)備與存儲(chǔ)公司也表示，過(guò)去多年來(lái)，其一直提供硅功率器件，主要用于汽車和工業(yè)市場(chǎng)，這有助于確保節(jié)能解決方案和設(shè)備小型化。該公司去年開始生產(chǎn)300毫米晶圓生產(chǎn)線，并正在加快投資，以提高產(chǎn)能和滿足強(qiáng)勁的需求增長(zhǎng)。它還充分利用其在鐵路車輛應(yīng)用方面培養(yǎng)的專業(yè)知識(shí)，推動(dòng)了更廣泛的SiC功率器件的開發(fā)，特別是用于汽車、輸電和配電應(yīng)用。

值得注意的是，羅姆已經(jīng)宣布參與東芝的私有化，但這項(xiàng)投資并不是雙方制造業(yè)合作的起點(diǎn)。在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)下，羅姆和東芝電子設(shè)備與存儲(chǔ)公司一段時(shí)間以來(lái)一直在考慮在電力設(shè)備業(yè)務(wù)上進(jìn)行合作，這導(dǎo)致了聯(lián)合應(yīng)用。雙方將通過(guò)對(duì)SiC和Si功率器件的密集投資，在制造功率器件方面進(jìn)行合作，分別致力于提升兩家公司的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。兩家公司還將尋求為加強(qiáng)日本半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性做出貢獻(xiàn)。

日本經(jīng)濟(jì)再生大臣西村康稔在上周五的新聞發(fā)布會(huì)上也稱贊，LOMO和東芝的此次合作是鞏固日本半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者地位的一步，并表示政府將計(jì)劃對(duì)本地生產(chǎn)進(jìn)行類似投資。他表示：“國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體制造商之間的合作對(duì)于提高日本產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要?！?/p>

與標(biāo)準(zhǔn)硅功率器件相比，SiC芯片在更高電壓下往往效率更高。因此，SiC 組件越來(lái)越多地應(yīng)用于電動(dòng)汽車中大量使用的牽引逆變器和 DC-DC 逆變器。這種更高的效率對(duì)汽車制造商產(chǎn)生了連鎖反應(yīng)，從而可以減輕重量、減少電池磨損并延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程。

目前，美國(guó)、歐洲和日本的幾家芯片制造商集體宣布投資數(shù)十億美元建設(shè)新的碳化硅晶圓廠和研發(fā)設(shè)施，以增加國(guó)內(nèi)供應(yīng)。根據(jù)主要碳化硅元件生產(chǎn)商安森美半導(dǎo)體預(yù)計(jì)，到 2023 年，SiC 芯片的出貨量將超過(guò) 8 億美元，主要用于汽車市場(chǎng)，收入是去年的 4 倍。

與此同時(shí)，博世宣布收購(gòu)美國(guó)芯片制造商TSI Semiconductor，以增強(qiáng)其在美洲的碳化硅供應(yīng)鏈。雖然交易條款尚未披露，但博世已承諾向 TSI 羅斯維爾園區(qū)投資約 15 億美元。

意法半導(dǎo)體還透露了將 SiC 晶圓生產(chǎn)引入內(nèi)部的計(jì)劃，據(jù)稱此舉將在本世紀(jì)末帶動(dòng) 50 億美元的年收入。

當(dāng)然，還有美國(guó)北卡羅來(lái)納州的 Wolfspeed，該公司獲得了12.5 億美元的融資，用于擴(kuò)大其碳化硅和氮化鎵產(chǎn)能。

編輯：芯智訊-浪客劍