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            博客專欄

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            尼康宣布推出ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)NSR-S636E,生產(chǎn)效率提升15%

            發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2023-12-17 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

            12月9日消息,根據(jù)日本光刻機(jī)大廠尼康(Nikon)官方消息,其將于2024年1月正式發(fā)布ArF浸沒(méi)式光刻機(jī)NSR-S636E尼康稱,作為半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中關(guān)鍵層的曝光系統(tǒng)NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產(chǎn)效率,并具有高水準(zhǔn)的套刻精度和生產(chǎn)速度,可為尖端半導(dǎo)體器件中的 3D 等器件結(jié)構(gòu)多樣化的挑戰(zhàn)提供解決方案。


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            尼康在新聞稿中表示,隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速,能夠更快的處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導(dǎo)體變得越來(lái)越重要。而生產(chǎn)先進(jìn)半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新關(guān)鍵在于推動(dòng)電路圖案微縮和3D半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),而ArF浸沒(méi)式曝光機(jī)對(duì)于這兩種制成技術(shù)都至關(guān)重要。因?yàn)榕c傳統(tǒng)半導(dǎo)體相較,3D半導(dǎo)體制造過(guò)程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和變形,因此需要比以往更先進(jìn)的曝光機(jī)進(jìn)行校正和補(bǔ)償功能。

            尼康稱,NSR-S636E ArF浸沒(méi)式曝光機(jī)采用增強(qiáng)型iAS,該創(chuàng)新系統(tǒng)可利用在高精度測(cè)量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上,達(dá)成了高重疊精度(MMO≤2.1 nm)。曝光面積為26毫米×33毫米,生產(chǎn)速度則是增加到每小時(shí)280片,加上減少停機(jī)時(shí)間,使得其與當(dāng)前型號(hào)相比,整體生產(chǎn)率提高了10~15%,已達(dá)到尼康光刻設(shè)備中最高的生產(chǎn)效率。

            此外,尼康還表示,該光刻系統(tǒng)在不犧牲生產(chǎn)效率的情況下,在需要高重疊精度的半導(dǎo)體制造技術(shù)中具有優(yōu)異的性能,例如3D半導(dǎo)體。該公司表示,將針對(duì)先進(jìn)邏輯和內(nèi)存、以及CMOS圖象感測(cè)器和3D NAND等3D半導(dǎo)體的多樣化需求,已經(jīng)提出最佳解決方案。

            在1990年代之前,尼康和佳能曾在光刻機(jī)市場(chǎng)上拿下主導(dǎo)地位。但隨著尼康和佳能在技術(shù)路線選擇上的錯(cuò)誤,而ASML在193nm浸沒(méi)式光刻機(jī)系統(tǒng)在市場(chǎng)大獲成功,迅速崛起,并成功壟斷了更為先進(jìn)的EUV光刻機(jī),目前ASML已經(jīng)成為了全球光刻機(jī)市場(chǎng)的絕對(duì)霸主。

            根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2020年全球半導(dǎo)體光刻機(jī)總銷量約413臺(tái),銷售額約130億美元,其中用于晶圓制造的基本均為ASML、尼康和佳能三家公司的產(chǎn)品。如果以銷量來(lái)看,ASML銷售258臺(tái)占比62%(其中EUV光刻機(jī)出貨量已經(jīng)達(dá)到 31臺(tái)),佳能銷售122臺(tái)占比30%,尼康銷售33臺(tái)占比8%;如果以銷售額來(lái)看,ASML的份額高達(dá)近90%。

            近年來(lái),尼康和佳能也主要生存于價(jià)格相對(duì)低廉的成熟制程所需的光刻設(shè)備市場(chǎng)。

            尼康曾表示,將于2024年夏季推出用于成熟技術(shù)的曝光機(jī)新產(chǎn)品。使用了早在1990年代初就已經(jīng)實(shí)用化,被稱為「i-line的老一代光源技術(shù)。尼康強(qiáng)調(diào),這是著眼于制造功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品的需求。市場(chǎng)觀點(diǎn)表示,尼康使用成熟的電子零組件與技術(shù),價(jià)格將能比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手便宜2~3成左右。

            在光刻機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)乏力的佳能,今年也開(kāi)始轉(zhuǎn)向不同于光刻的另一條技術(shù)路線。

            今年10月中旬,佳能公司宣布開(kāi)始銷售基于“納米壓印”(Nanoprinted lithography,NIL)技術(shù)的芯片生產(chǎn)設(shè)備 FPA-1200NZ2C。佳能表示,該設(shè)備采用不同于復(fù)雜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)的方案,該設(shè)備在不用EUV光刻機(jī)的情況下制造5nm芯片。

            相關(guān)文章《可繞過(guò)EUV量產(chǎn)5nm!佳能CEO:納米壓印設(shè)備無(wú)法賣到中國(guó)!》

            編輯:芯智訊-浪客劍


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