11月27日消息，據(jù)臺(tái)媒DigiTimes報(bào)道，近日有著“浸潤(rùn)式光刻之父”之稱(chēng)的林本堅(jiān)（Burn Lin）在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，依靠DUV光刻機(jī)繼續(xù)將制程工藝從7nm推向5nm是可能，但是需要付出高昂的代價(jià)。

報(bào)道稱(chēng)，由于美日荷對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備的限制，使得中國(guó)不僅難以獲得可以制造先進(jìn)制程的半導(dǎo)體設(shè)備，同時(shí)更為先進(jìn)的EUV光刻機(jī)也無(wú)法獲得。這也使得中國(guó)繼續(xù)將制裁工藝推進(jìn)到5nm將會(huì)面臨困境。

不過(guò)，林本堅(jiān)表示，依托現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)（浸沒(méi)式）制造出5nm芯片依然是可行的，但是至少需要進(jìn)行四重曝光。不幸的是，這種工藝的缺點(diǎn)是不僅耗時(shí)，而且價(jià)格昂貴，還會(huì)影響整體良率。

特別是在使用 DUV 機(jī)器時(shí)，在多次曝光期間需要精確對(duì)準(zhǔn)，這可能需要時(shí)間，并且有可能發(fā)生未對(duì)準(zhǔn)的情況，從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低和制造這些晶圓的時(shí)間大幅增加。

林本堅(jiān)表示，浸沒(méi)式DUV光刻技術(shù)最高可以實(shí)現(xiàn)六重光刻模式，可以實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)的工藝，但問(wèn)題同樣來(lái)自上述相關(guān)缺點(diǎn)。

編輯：芯智訊-林子