天眼查顯示，華為技術(shù)有限公司“半導(dǎo)體封裝”專利公布，申請(qǐng)公布日為10月31日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN116982152A。

專利摘要顯示，本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：第一襯底、半導(dǎo)體芯片、引線框和密封劑。

專利摘要顯示，本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝，該半導(dǎo)體封裝包括：第一襯底、半導(dǎo)體芯片、引線框和密封劑。該密封劑的下主面包括在第一平面中延伸的第一部分、在第二平面中延伸的第二部分、在該第一平面與該第二平面之間的第一過(guò)渡區(qū)中延伸的第三部分，以及在該第二平面與至少一個(gè)引線之間的第二過(guò)渡區(qū)中延伸的第四部分。該密封劑的該第一部分和該第一襯底的下主面在相同的第一平面中延伸，該第一平面形成該封裝的下散熱表面。該密封劑的該第二部分、該第三部分和該第四部分的尺寸被設(shè)置為在該密封劑的該第一部分與該至少一個(gè)引線之間保持第一預(yù)定義最小距離。

概念解析：

先進(jìn)封裝是指前沿的倒裝芯片封裝(FC，F(xiàn)lip chip)、晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer level packaging)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP， System In a Package)和2.5D、3D封裝等，作為提高連接密度、提高系統(tǒng)集成度與小型化的重要方法。

封裝是指將生產(chǎn)加工后的晶圓進(jìn)行切割、焊線塑封，使電路與外部器件實(shí)現(xiàn)連接，并為半導(dǎo)體產(chǎn)品提供機(jī)械保護(hù)，使其免受物理、化學(xué)等環(huán)境因素?fù)p失的工藝。先進(jìn)封裝采用了先進(jìn)的設(shè)計(jì)思路和先進(jìn)的集成工藝，對(duì)芯片進(jìn)行封裝級(jí)重構(gòu)，并且能有效提高系統(tǒng)功能密度的封裝技術(shù)。

先進(jìn)封裝的四要素是指:RDL，TSV，Bump， Wafer,任何一款封裝，如果具備了四要素中的任意一個(gè)，都可以稱之為先進(jìn)封裝。在先進(jìn)封裝的四要素中，RDL起著XY平面電氣延伸的作用，TSV起著Z軸電氣延伸的作用，Bump起著界面互聯(lián)和應(yīng)力緩沖的作用，Wafer則作為集成電路的載體以及RDL和介質(zhì)和載體

半導(dǎo)體封裝技術(shù)由傳統(tǒng)到先進(jìn)共經(jīng)歷了四個(gè)發(fā)展歷程：通孔插裝時(shí)代、表面貼裝時(shí)代、面積陣列封裝時(shí)代和先進(jìn)封裝時(shí)代，先進(jìn)封裝技術(shù)是延續(xù)摩爾定律的最佳選擇，在不提高半導(dǎo)體芯片制程的情況下能夠進(jìn)一步提高集成度，顯現(xiàn)終端產(chǎn)品輕薄短小等效果。

先進(jìn)封裝發(fā)展增大封裝設(shè)備需求。先進(jìn)封裝中，芯片層數(shù)增加，芯片厚度需要更加輕薄以減小體積，因此減薄設(shè)備需求增加；ChipLET中，芯片變小且數(shù)量變多，劃片時(shí)需要將晶圓切割為更多小芯片，先進(jìn)封裝中劃片機(jī)需求的數(shù)量和精度都會(huì)提升；芯片變小且數(shù)量提高之后，對(duì)固晶機(jī)的需求量和精度要求都會(huì)提升。

1.Bump （凸塊）工藝與設(shè)備

凸塊是定向指生長(zhǎng)于芯片表面，與芯片焊盤(pán)直接或間接相連的具有金屬導(dǎo)電特性的突起物。凸塊是芯片倒裝必備工藝，是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)之一。

1）凸塊可分為金凸塊、銅鎳金凸塊、銅柱凸塊、焊球凸塊

金凸塊主要應(yīng)用于顯示驅(qū)動(dòng)芯片、傳感器、電子標(biāo)簽等產(chǎn)品封裝；銅鎳金凸塊主要應(yīng)用于電源管理等大電流、需低阻抗的芯片封裝；銅柱凸塊主要應(yīng)用于通用處理器、圖像處理器、存儲(chǔ)器芯片、ASIC、FPGA、電源管理芯片、射頻前端芯片、基帶芯片、功率放大器、汽車(chē)電子等產(chǎn)品或領(lǐng)域；錫凸塊主要應(yīng)用于圖像傳感器、電源管理芯片、高速器件、光電器件等領(lǐng)域。

2）凸塊工藝所需設(shè)備各不相同

金/銅凸塊工藝：

1）采用濺射或其他物理氣相沉積的方式再晶圓表面沉積一層 Ti/Cu 等金屬作為電鍍的種子層；

2）在晶圓表面涂一定厚度的光刻膠，并運(yùn)用光刻曝光工藝形成所需要圖形；

3）對(duì)晶圓進(jìn)行電鍍，通過(guò)控制電鍍電流大小、電鍍時(shí)間等，從光刻膠開(kāi)窗圖形底部生長(zhǎng)并得到一定厚度的金屬層；

4）去除多余光刻膠。

錫凸塊工藝 ：

與銅柱凸塊流程相似，凸塊結(jié)構(gòu)主要由銅焊盤(pán)和錫帽構(gòu)成，差別主要在于焊盤(pán)的高度較低，同時(shí)錫帽合金是成品錫球通過(guò)鋼板印刷，在助焊劑以及氮?dú)猸h(huán)境下高溫熔融回流與銅焊盤(pán)形成的整體產(chǎn)物。錫凸塊一般是銅柱凸塊尺寸的 3~5 倍，球體較大，可焊性更強(qiáng)。

銅鎳金凸塊工藝：

采用晶圓凸塊的基本制造流程，電鍍厚度超過(guò) 10μm以上的銅鎳金凸塊。新凸塊替代了芯片的部分線路結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了 I/O 設(shè)計(jì)，大幅降低了導(dǎo)通電阻。

2.TSV （硅通孔）工藝與設(shè)備

TSV （Through Silicon Via）即硅通孔技術(shù)，是一種利用垂直硅通孔實(shí)現(xiàn)芯片互連的方法，相比于傳統(tǒng)引線連接，具有更短的連接距離、更高的機(jī)械強(qiáng)度、更薄的芯片厚度、更高的封裝密度，同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)異種芯片的互連。

TSV 的制作工藝流程為在硅片上刻蝕通孔，側(cè)壁沉積金屬粘附層、阻擋層和種子層，TSV 通孔中電鍍銅金屬作為導(dǎo)體，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)將硅片減薄，最后疊層鍵合。

3.RDL（再布線）工藝與設(shè)備

RDL （ReDistribution Layer，重布線層是實(shí)現(xiàn)芯片水平方向互連的關(guān)鍵技術(shù)，可將芯片上原來(lái)設(shè)計(jì)的 I/O 焊盤(pán)位臵通過(guò)晶圓級(jí)金屬布線工藝變換位臵和排列，形成新的互連結(jié)構(gòu)。

RDL 需要的設(shè)備包括曝光設(shè)備、PVD 設(shè)備等。RDL 的工藝流程：1）形成鈍化絕緣層并開(kāi)口；2）沉積粘附層和種子層；3）光刻顯影形成線路圖案并電鍍填充；4）去除光刻膠并刻蝕粘附層和種子層；5）重復(fù)上述步驟進(jìn)行下一層的 RDL 布線。

華為封裝新專利對(duì)麒麟的解決方案

對(duì)于麒麟9000s的量產(chǎn)，國(guó)內(nèi)和國(guó)外從發(fā)售之日起，便不停的研究，最終也沒(méi)得出什么結(jié)果。但拆機(jī)結(jié)果有兩點(diǎn)：

第一，麒麟9000s比麒麟9000大了一圈

第二，麒麟9000s散熱方面做了特殊結(jié)構(gòu)

這兩點(diǎn)與華為這份封裝專利不謀而合，尤其是散熱方面，專利里有詳細(xì)介紹與解決方案。

這份專利較為新穎，相較于其他工藝，絕緣、散熱、引線增量較多。

當(dāng)前國(guó)內(nèi)龍頭封測(cè)廠商均有50%以上收入來(lái)自先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)，在先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)持續(xù)突破：

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