SiC碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。

碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。

為讓大家更加了碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈，今天給大家盤點一下國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)，據(jù)初步統(tǒng)計，國內(nèi)共20余家碳化硅襯底企業(yè)，主要分布在浙江、廣東、山西等地。

如后是各企業(yè)的簡單介紹，以下排名不分先后，如有遺漏，歡迎加群補充。

1.   山東天岳先進科技股份有限公司（688234）

2. 
   

公司成立于 2010 年，主營業(yè)務是寬禁帶半導體（第三代半導體）碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可應用于微波電子、電力電子等領域。

碳化硅半導體材料項目計劃于 2026 年實現(xiàn)全面達產(chǎn)，對應 6 英寸導電型 SiC 襯底產(chǎn)能為 30 萬片/年。公司已經(jīng)實現(xiàn)6英寸導電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應。

據(jù)2022年年報披露公司2022年碳化硅襯底年產(chǎn)量為71,147片。2022年，公司通過前期持續(xù)自主擴徑，已制備高品質(zhì)8英寸導電型碳化硅襯底。

在 8 英寸產(chǎn)品布局上，公司具備量產(chǎn) 8 英寸產(chǎn)品能力，報告期內(nèi)已開展客戶送樣驗證，并實現(xiàn)了小批量銷售，預期產(chǎn)銷規(guī)模將持續(xù)擴大。

2022-07-25 公司與某客戶簽訂了長期銷售合同，約定2023年至2025年，公司及公司全資子公司上海天岳半導體材料有限公司,向其銷售6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品，按照合同約定的年度基準單價預測（美元兌人民幣匯率以6.7折算），三年合計銷售金額預計將達到人民幣13.93億元（含稅）。

2023-05-03 山東天岳先進科技股份有限公司（688234.SH）與德國半導體制造商英飛凌科技股份公司簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質(zhì)量并且有競爭力的150毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向200毫米直徑碳化硅晶圓過渡。

2. 北京天科合達半導體股份有限公司

北京天科合達半導體股份有限公司是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術企業(yè)。公司為全球SiC晶片的主要生產(chǎn)商之一。

2023年8月8日上午，公司全資子公司江蘇天科合達半導體有限公司（簡稱“江蘇天科合達”）碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目開工活動在徐州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)成功舉辦。江蘇天科合達二期項目將新增16萬片產(chǎn)能，并計劃明年6月份建設完成，同年8月份竣工投產(chǎn)，屆時江蘇天科合達總產(chǎn)能將達到23萬片。

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅供應商北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）簽訂了一份長期協(xié)議，以確保獲得更多而且具有競爭力的碳化硅材料供應。天科合達將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體產(chǎn)品的高質(zhì)量并且有競爭力的150毫米碳化硅晶圓和晶錠，其供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。

根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于150毫米碳化硅材料的供應，但天科合達也將提供200毫米直徑碳化硅材料，助力英飛凌向200毫米直徑晶圓的過渡。

2022年11月15日，天科合達發(fā)布8英寸導電碳化硅襯底晶片。8英寸導電碳化硅襯底晶片由北京天科合達半導體股份有限公司生產(chǎn)，主要應用新能源汽車、光伏等領域。天科合達8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品的多項指標均處于行業(yè)內(nèi)領先水平，已經(jīng)達到了量產(chǎn)標準，8英寸的小規(guī)模量產(chǎn)定在2023年。

3.  山西爍科晶體有限公司

山西爍科晶體有限公司成立于2018年，位于山西省太原市山西綜改示范區(qū)，是國內(nèi)從事第三代半導體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領軍企業(yè)。

4英寸高純半絕緣SiC襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，月產(chǎn)能可達8000片，且在國內(nèi)市場占有率超過50%。2022年在高純半絕緣襯底穩(wěn)定生產(chǎn)的前提下，大幅度提升了6英寸N型襯底的產(chǎn)能，截至到去年年底已經(jīng)達到6000片/月。

2021年8月，山西爍科晶體有限公司成功研制出8英寸碳化硅晶體，解決大尺寸單晶制備的重要難題。

2022年1月，公司再次取得重大突破，實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關鍵一步。

4.  三安光電股份有限公司（600703）

公司主要從事化合物半導體材料與器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，以氮化鎵、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等化合物半導體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業(yè)。

據(jù)2022年年報披露公司碳化硅產(chǎn)能已達 12,000 片/月，硅基氮化鎵產(chǎn)能 2,000 片/月，湖南三安二期工程將于2023 年貫通，達產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達到 36 萬片，襯底已通過幾家國際大客戶驗證，其中一家實現(xiàn)批量出貨，且 2023 年、2024 年供應已基本鎖定。

湖南三安半導體有限責任公司半導體產(chǎn)業(yè)化項目主要從事碳化硅、硅基氮化鎵等第三代化合物半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。

9月6-8日，湖南三安攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023國際半導體展。湖南三安針對新能源行業(yè)的發(fā)展痛點，于展會上推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，同時，三安還發(fā)布了適用于電力電子的8英寸碳化硅襯底。

6月7日，中國化合物半導體龍頭公司三安光電與全球排名前列的半導體龍頭公司意法半導體聯(lián)合宣布：雙方已簽署協(xié)議，擬在中國重慶共同建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造工廠。同時，三安光電將在當?shù)鬲氋Y建立一個8英寸碳化硅襯底工廠作為配套。

該合資項目公司將由三安光電控股，暫定名為“三安意法半導體(重慶)有限公司”，其中由三安光電全資子公司湖南三安持股51%，意法半導體（中國）投資有限公司持股49%。項目預計投資總額達32億美元，待監(jiān)管部門批準后即開工建設，計劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，預計將于2028年全面落成，將采用意法半導體的碳化硅專利制造工藝技術，達產(chǎn)后可生產(chǎn)8吋碳化硅晶圓10,000片/周。三安光電獨資在重慶設立的8英寸碳化硅襯底工廠計劃投資約70億元，將利用自有的碳化硅襯底工藝單獨建立和運營，以滿足合資工廠的襯底需求，并與其簽訂長期供應協(xié)議。

5.  杭州乾晶半導體有限公司

杭州乾晶半導體有限公司，2020年7月成立于浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，專注于第三代半導體材料領域，是一家集半導體碳化硅單晶生長、晶片加工和設備開發(fā)為一體的高新技術企業(yè)。

2023年5月18日，浙大杭州科創(chuàng)中心先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯(lián)合實驗室成功研制8英寸導電型碳化硅。

采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）法生長了厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底片，成功躋身于8英寸碳化硅俱樂部。

2023年4月12日上午8點38分，乾晶半導體“功率器件用6/8英寸碳化硅拋光襯底研發(fā)、中試項目”于衢州市東港八路建設地塊隆重舉行。

乾晶半導體碳化硅拋光襯底研發(fā)/中試項目，總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，總投資約3億元，計劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長和襯底加工的中試基地，是衢州市重點招商引資的“乾晶半導體（衢州）有限公司年產(chǎn)60萬片碳化硅襯底材料項目”的第一期。

6.  露笑半導體材料有限公司（002617）

合肥露笑半導體材料有限公司成立于2020年，公司目前注冊資金5.75億元，是一家專注第三代功率半導體材料碳化硅晶體生長、襯底片、外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高科技企業(yè)。

2021年11月7日，露笑科技發(fā)布公告稱，合肥露笑半導體一期已完成主要設備的安裝調(diào)試，進入 正式投產(chǎn)階段。后續(xù)公司會根據(jù)市場訂單情況及一期投產(chǎn)情況完成產(chǎn)能的進一步擴張。

項目總投資100億元，占地面積88畝，主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。

項目分三期建設，一期預計投資21億元，建成達產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)24萬片導電型碳化硅襯底片和5萬片外延片的生產(chǎn)能力；二期預計投資39億元，建成達產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)10萬片6英寸外延片和年產(chǎn)10萬片8英寸襯底片生產(chǎn)能力；三期預計投資40億元，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)10萬片8英寸外延片和年產(chǎn)15萬片8英寸襯底片生產(chǎn)能力。

2023年8月24日 半年報公告披露2020年度非公開發(fā)行股票的募投項目“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項目”、“碳化硅研發(fā)中心項目”予以終止，并將剩余募集資金用于永久補充流動資金。

7. 浙江東尼電子股份有限公司（603595）

東尼通過多年的技術沉淀和前期的市場調(diào)研，引進了領軍型創(chuàng)新團隊，專注于碳化硅半導體材料研究。其中項目負責人擁有豐富的碳化硅單晶襯底材料制備經(jīng)驗，團隊成員包括彼得辛格博士、肯尼斯博士等。

東尼采用的前沿技術突破了碳化硅單晶材料的大直徑生長、多型控制、應力和位錯缺陷降低等關鍵問題，解決了碳化硅晶體生長缺陷數(shù)量的控制和晶體品質(zhì)的瓶頸問題，從而得到高質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料。

2022年報顯示，2022年，東尼電子半導體業(yè)務營收1676.56萬元，營業(yè)成本2042.13萬元，毛利率為-21.81%。公司2022年生產(chǎn)碳化硅襯底6750片，銷售碳化硅襯底4190片。

2023年1月9日，公司子公司東尼半導體與下游客戶T簽訂《采購合同》，約定東尼半導體2023年向該客戶交付6英寸碳化硅襯底13.50萬片，含稅銷售金額合計人民幣6.75億元；2024年、2025年分別向該客戶交付6英寸碳化硅襯底30萬片和50萬片。24年定價4750/片，25年定價4510/片，長約訂單為三年43.55億。

2022年11月11日，東尼電子(603595.SH)在業(yè)績說明會上表示，9月，公司子公司東尼半導體與下游客戶簽訂《采購合同》，約定東尼半導體向該客戶交付6寸碳化硅襯底2萬片，含稅銷售金額合計人民幣1億元。目前公司正處于量產(chǎn)交貨階段，根據(jù)現(xiàn)有機臺產(chǎn)能情況，綜合良率在60%左右。

8.  廣州南砂晶圓半導體技術有限公司

廣州南砂晶圓半導體技術有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售三位一體的國家高新技術企業(yè)。

2021年9月18日總部基地項目封頂?？偛炕仨椖靠偼顿Y9億元，用地面積36.8畝，規(guī)劃建筑面積91372.47㎡，項目建成穩(wěn)定運營后可年產(chǎn)碳化硅各類襯底片15萬片。

公司以山東大學近年來研發(fā)的最新碳化硅單晶生長和襯底加工技術成果為基礎，同山東大學開展全方位產(chǎn)學研合作。

2022年聯(lián)合山東大學晶體材料國家重點實驗室經(jīng)過多年的理論和技術攻關，實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備。

9.  浙江晶越半導體有限公司

現(xiàn)階段公司主要聚焦于6-8英寸導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。

2021-07-02 浙江紹興市生態(tài)環(huán)境局發(fā)布公告稱，受理了晶越半導體的碳化硅項目環(huán)評文件。據(jù)介紹，該項目一期擬投資約1.35億元，年1.2萬片6英寸SiC晶片，2021年將良率達產(chǎn)。

2020年6月20日，當?shù)厥薪?jīng)開區(qū)與溢起投資合伙企業(yè)、高冰博士(團隊)在上海正式簽署“晶越碳化硅晶圓項目”三方投資協(xié)議書。據(jù)悉，該項目簽約共分三期，總投資達100億元，一期投產(chǎn)后將具備月產(chǎn)1500片碳化硅晶圓的能力。

10.  山東粵海金半導體科技有限公司

山東粵海金半導體科技有限公司（原名：山東國宏中能科技發(fā)展有限公司）山東國宏中能科技發(fā)展有限公司目前主要生產(chǎn)4英寸、6英寸4-H N型導電碳化硅襯底片和4-H半絕緣碳化硅襯底片。

在工藝技術上依托中科鋼研、國宏中宇“第三代半導體材料制備關建共性技術北京市工程實驗室”的強大科研能力，已形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關鍵核心技術體系。

山東國宏中能年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底片項目總投資6.5億元，總建筑面積3萬平方米。該項目于2020年2月入選山東省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目庫第一批優(yōu)選項目名單，是市、區(qū)兩級重點項目。通過在材料制備技術體系、核心裝備研制上的持續(xù)科研投入，同時緊密結(jié)合研發(fā)成果的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)轉(zhuǎn)化，目前本項目已經(jīng)具備投產(chǎn)條件。

11.  哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司

公司是一家專注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉(zhuǎn)化的國家級高新技術企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域。

已形成自主研發(fā)的6-8英寸碳化硅晶體生長關鍵技術及2-4英寸氮化鋁晶體生長關鍵技術，6英寸碳化硅晶體厚度成功突破40mm。

科友半導體現(xiàn)已正式步入產(chǎn)業(yè)化道路，現(xiàn)有長晶爐生產(chǎn)線1條，年產(chǎn)長晶爐200臺，高純石墨加工設備、高純度碳化硅原料制備設備各一套；6-8寸碳化硅晶體生產(chǎn)線1條，年產(chǎn)6-8寸碳化硅襯底10萬片。

科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。

2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導體關鍵材料的限制和封鎖。

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關鍵技術，8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。

12.  中國電子科技集團

2020年中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地已經(jīng)實現(xiàn)4英寸晶片的大批量產(chǎn)，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經(jīng)開始工程化驗證，為客戶提供小批量的產(chǎn)品試用，預計年底達到產(chǎn)業(yè)化應用與國際水平相當。

2020年3月，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地在山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)正式投產(chǎn)，第一批設備正式啟動?；匾黄陧椖靠扇菁{600臺碳化硅單晶生長爐，項目建成后將具備年產(chǎn)10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)最大的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地。

13.  安徽微芯長江半導體材料有限公司

安徽微芯長江半導體材料有限公司由上海申和投資有限公司、中國科學院上海硅酸鹽研究所、銅陵市國有資本運營控股集團有限公司等投資建設，主要從事碳化硅錠、碳化硅片碳化硅材料及相關產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

2022年4月29在銅陵經(jīng)開區(qū)安徽微芯長江半導體材料公司的碳化硅晶體生產(chǎn)車間，來自中科院的專家技術團隊正在對設備進行安裝調(diào)試。微芯長江半導體項目預計今年6月份即可正式生產(chǎn)。

2021年11月27日，安徽微芯長江半導體材料有限公司舉行年產(chǎn)15萬片碳化硅晶圓片項目建設工程竣工儀式。

2020年，碳化硅單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目順利開工，項目投資13.50億人民幣，建設工期4年，項目從2020年10月起至2024年10月止，計劃2021年3季度完成廠房建設和設備安裝調(diào)試，2021年12月底完成中試并開始試銷，投產(chǎn)后前3年生產(chǎn)負荷分別為33%、67%、100%。達成后預計年產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓片3萬片、6英寸12萬片。

14.  河北天達晶陽半導體技術股份有限公司

天達晶陽以北京天科合達半導體股份有限公司以中國科學院物理研究所、北京天科合達半導體股份有限公司為技術依托，采用的技術綜合實力在碳化硅單晶襯底行業(yè)排名國內(nèi)第一、世界第四，達到了國內(nèi)領先和國際先進水平。

2022年4月再投資7.31億元，建設（擁有）400臺套完整（設備）的碳化硅晶體生產(chǎn)線。屆時，4-8英寸碳化硅晶片的年產(chǎn)能將達到12萬片。

2021年4月3日消息，清河經(jīng)濟開發(fā)區(qū)官方微信公眾號發(fā)布消息稱，目前，天達晶陽碳化硅單晶體項目正在進行無塵車間改造，一期54臺碳化硅單晶生長爐已全部到場，30臺已安裝到位，預計4月底進行調(diào)試。

15.  中電化合物半導體有限公司

中電化合物公司是由華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的材料制造企業(yè)，持股比例超過48.93%。

2023年6月，中電化合物宣布與韓國Power Master公司簽署了長期供應SiC材料的協(xié)議，包括8吋。

2022年10月22日，中電化合物總投資10.5億元建設的寬禁帶半導體材料項目，并計劃在2021-2025年投入8億元資金。

中電化合物將分二期建設該項目：一期計劃投資2.2億元，租用杭州灣數(shù)字產(chǎn)業(yè)園1萬平方米廠房，二期征用土地70畝，形成年產(chǎn)8萬片4-6寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵N外延片生產(chǎn)能力。

16.  山西天成半導體材料有限公司

山西天成半導體有限公司成立于2021年，經(jīng)營范圍包括半導體器件專用設備制造，電子專用材料研發(fā)，新興能源技術研發(fā)等。

2022年4月21日，山西天成半導體材料有限公司僅用半年時間將4英寸的碳化硅襯底，升級至6英寸碳化硅襯底，并即將投產(chǎn)。二期項目，包括廠房擴建、設備擴充以及構(gòu)建一條全自動線切割打磨拋光清洗加工線。項目完成后將為公司貢獻年產(chǎn)導電型和半絕緣型碳化硅襯底2萬片的生產(chǎn)能力。

目前二期廠房10000平米已接近驗收，規(guī)劃年產(chǎn)10萬片正分階段進行中，預計2023年1月二期一單元建成，預計產(chǎn)能達到月產(chǎn)1000片，并已有客戶提前預定。

17.  江蘇超芯星半導體有限公司

超芯星成立于2019年4月，總部位于江蘇南京，是國內(nèi)第一家專注于大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的公司，目前已經(jīng)實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)出貨。超芯星創(chuàng)始團隊源自國際頂尖HTCVD法的Norstel公司，曾主導了1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

超芯星是國內(nèi)極少數(shù)具備國際競爭力的碳化硅襯底供應商，目前公司6英寸碳化硅襯底已經(jīng)順利進入美國一流器件廠商，這也是國內(nèi)碳化硅襯底公司在國際市場上的首次突破。為滿足全球市場的旺盛需求，公司正在有序交貨和積極擴產(chǎn)，預計6-8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能未來將提升至150萬片/年。

18.  河北同光半導體股份有限公司

河北同光半導體成立于2012年，公司致力于SiC單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，是國內(nèi)率先量產(chǎn)SiC單晶襯底的制造商之一，也是國際上少數(shù)同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底制備技術的企業(yè)。

河北同光半導體歷經(jīng)2年多的研發(fā)，8英寸導電型碳化硅晶體樣品已經(jīng)出爐，工作人員正在攻關加工成碳化硅單晶襯底。預計這款新產(chǎn)品2023年底可實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，將被客戶制為功率芯片。

2022年河北同光的碳化硅襯底產(chǎn)能約為10萬片/年，并規(guī)劃建設2000臺碳化硅晶體生長爐生長基地和年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預計2025年末達產(chǎn)。

19.  合肥世紀金芯半導體有限公司

合肥世紀金芯半導體有限公司是一家致力于第三代半導體碳化硅功能材料研發(fā)與生產(chǎn)的技術企業(yè)。一期廠區(qū)位于合肥市高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園A1棟具備含碳化硅單晶生長、晶體加工、材料表征為一體的生產(chǎn)線。

2022 年 9 月 9 日，合肥世紀金芯半導體有限公司年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)儀式在合肥市高新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園隆重舉行。據(jù)悉，世紀金芯產(chǎn)品目前已實現(xiàn)對下游客戶批量交付。

20.  深圳市國碳半導體科技有限公司

深圳市國碳半導體科技有限公司成立于2020年，技術研發(fā)工作始于1990年，是一家致力于碳化硅襯底晶體生長、加工及關鍵設備的技術開發(fā)、生產(chǎn)及銷售的創(chuàng)新型企業(yè)。

目前項目6-8英寸碳化硅襯底研發(fā)已落地深圳市中清欣達膜技術研究院，公司計劃投資10億元，在深圳新建年產(chǎn)24萬片6寸碳化硅襯底生產(chǎn)線項目。

2022年10月16日國碳半導體車規(guī)級碳化硅襯底項目正式投產(chǎn)。

21.  浙江博藍特半導體科技股份有限公司

浙江博藍特半導體科技股份有限公司成立于2012年，是一家快速成長的國家高新技術企業(yè)。公司采用國際領先的光學、半導體制備工藝技術，利用先進的新型半導體材料加工設備，主要致力于GaN基LED芯片（圖形化）襯底及第三代半導體材料的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

2020年7月23日，金華博藍特電子材料有限公司第三代半導體碳化硅及用于Mini/Micro-LED顯示技術的大尺寸藍寶石襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目開工奠基儀式隆重舉行。

2019年12月2日，浙江博藍特半導體科技股份有限公司與金華經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)就年產(chǎn)15萬片第三代半導體碳化硅襯底及年產(chǎn)200萬片用于Mini/Micro-LED顯示技術的大尺寸藍寶石襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化合作項目舉行簽約儀式。

22.  浙江晶盛機電股份有限公司

晶盛機電圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發(fā)一系列關鍵設備，并延伸至化合物襯底材料領域，為半導體、光伏行業(yè)提供全球極具競爭力的高端裝備和高品質(zhì)服務。

晶盛機電瞄準碳化硅、藍寶石、金剛石等新材料領域，深化上下游產(chǎn)業(yè)鏈合作，向上游裝備制造和下游晶體材料深加工延伸，解決國家核心材料自主供給，保障國家戰(zhàn)略安全。晶盛機電掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體生長技術，具備自主可控的大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術。

23.  寧波合盛新材料有限公司

寧波合盛新材料有限公司成立于2018年，為主板上市公司合盛硅業(yè)（股票代碼：SH.603260）旗下的全資子公司，是一家從事新材料及其產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高新技術企業(yè)。

公司致力于通過材料的更新?lián)Q代推動國家綠色能源發(fā)展、助力節(jié)能減排，為用戶創(chuàng)造輕便美好的生活，其中材料的開發(fā)主要基于硅元素在下游應用的拓展及延伸，產(chǎn)品包括第三代半導體碳化硅晶片、高強度硅鋁復合材料及其輕量化構(gòu)件等，廣泛應用于新能源汽車、太陽能光伏、物流運輸?shù)刃袠I(yè)。

24.  深圳市重投天科半導體有限公司

深圳市重投天科半導體有限公司成立于2020年12月15日，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術企業(yè)。

重投天科的成立是深圳市政府黨組（擴大）會議審定通過的項目建設方案，是由深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、深圳市和合創(chuàng)芯微半導體合伙企業(yè)（有限合伙）以及產(chǎn)業(yè)資本出資構(gòu)成的項目實施主體。

25.  北京晶格領域半導體有限公司

北京晶格領域半導體有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售于一體，北京市及順義區(qū)重點關注的創(chuàng)新型高新技術企業(yè)。

2020年7月6日，液相法生長碳化硅半導體襯底項目落戶中關村順義園。據(jù)“三代半風向”了解，該項目是中科院物理所科技成果轉(zhuǎn)化項目，由晶格領域?qū)嵤┻\營，分三期落地實施，計劃總投資7.5億元。一期投資5000萬元，在中關村順義園租賃廠房1050平方米，建設4—6英寸液相法碳化硅晶體中試生產(chǎn)線。2021年4月8日，第一批設備全部進場，并開始試生產(chǎn)。

26.  臺灣盛新材料科技股份有限公司

盛新材料成立于2020年，是中國臺灣為數(shù)不多可同時生產(chǎn)6英寸導電型和半絕緣型SiC襯底的廠商，其在高品質(zhì)長晶領域，有著技術優(yōu)勢。從成立不久后就成功生長出了直徑4英寸SiC晶體，隨后又向6英寸開始進發(fā)。

根據(jù)此前的相關報道，盛新材料去年的6英寸SiC襯底大概月產(chǎn)能在400片左右，后又將SiC長晶爐的數(shù)量增加至65臺，其中5臺來自美國，10臺來自日本，其余50臺來自與股東廣運集團（Kenmec）的合作自制，65臺長晶爐能夠達到1200~1600片的月產(chǎn)能。

來源：經(jīng)濟日報

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