10月19日消息，據(jù)外媒Tomshardware報道，韓國存儲芯片大廠三星公布了V-NAND（即3D NAND）發(fā)展計劃，證實(shí)將在2024年生產(chǎn)超過300層的第九代V-NAND芯片。

三星總裁暨內(nèi)存事業(yè)部負(fù)責(zé)人Jung-bae Lee在一篇博客文章中寫道，“第九代V-NAND基于雙堆棧結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到業(yè)界最高水準(zhǔn)，將于明年初量產(chǎn)。

三星在2022年底就已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用第8代V-NAND技術(shù)的產(chǎn)品，為1Tb（128GB）TLC 3D NAND閃存芯片，達(dá)到了236層，相比于2020年首次引入雙堆棧架構(gòu)的第7代V-NAND技術(shù)的176層有了大幅度的提高。其所采用的雙堆棧架構(gòu)，即在300mm晶圓上先生產(chǎn)一個3D NAND Flash堆棧，然后在原有基礎(chǔ)上再構(gòu)建另一個堆棧。

三星的超300層堆疊的第9代V-NAND將會沿用上一代的雙deck架構(gòu)，也就是說，三星的超300層3D NAND Flash將通過將兩個150 層堆疊的deck堆疊在一起制成。盡管制造時間更長，但堆疊兩個 150 層組件比構(gòu)建單個 300 層產(chǎn)品更容易制造。

對于3D NAND來說，隨著堆疊層數(shù)的增加，將可持續(xù)提升存儲容量和密度。Jung-Bae Lee表示，“三星還在致力于下一代技術(shù)創(chuàng)造價值，包括最大限度提高 V-NAND 輸入/輸出 (I/O) 速度的新結(jié)構(gòu)。”

就長期技術(shù)創(chuàng)新而言，三星致力于最大限度地減少單元干擾、降低高度并最大化垂直層數(shù)，這將使其能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界最小的單元尺寸。這些創(chuàng)新將有助于推動三星創(chuàng)建超過 1000 層的 3D NAND。消息顯示，未來的第10代V-NAND技術(shù)將可能達(dá)到 430層芯片。

值得一提的是，今年8月初，SK海力士就公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，并表示其將成為業(yè)界第一家完成300層以上堆疊NAND Flash閃存開發(fā)的公司。

據(jù)介紹，SK海力士321層堆疊的1Tb TLC 4D NAND Flash，相比上一代238層堆疊的512Gb 4D NAND Flash的單位容量提升了41%，延遲降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生產(chǎn)效率也提升了59%。而其生產(chǎn)效率之所以能夠大幅提升59%的原因在于，數(shù)據(jù)儲存單元可以用更多的單片數(shù)量堆疊到更高，這使得在相同大小面積的芯片上達(dá)到更大儲存容量，也進(jìn)一步增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

編輯：芯智訊-浪客劍