近日，美國(guó)商務(wù)部（BIS）正式公布了實(shí)施《科學(xué)與芯片法案》（以下簡(jiǎn)稱“芯片法案”）配套的巨額補(bǔ)貼發(fā)放的“國(guó)家安全護(hù)欄”的最終規(guī)則。該規(guī)則詳細(xì)闡述了法規(guī)的兩個(gè)核心條款：第一，禁止“芯片法案”資金接受者在10年內(nèi)擴(kuò)大在外國(guó)關(guān)注的材料半導(dǎo)體制造能力；其次，限制補(bǔ)貼接受者與相關(guān)外國(guó)實(shí)體進(jìn)行某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可工作。

美國(guó)商務(wù)部芯片計(jì)劃辦公室（CHIPS Program Office）稱，該規(guī)則將有助于確?！靶酒ò浮蓖顿Y與盟友和合作伙伴協(xié)調(diào)增強(qiáng)全球供應(yīng)鏈的彈性。“芯片法案”是拜登總統(tǒng)投資美國(guó)議程的一部分，旨在釋放制造業(yè)和創(chuàng)新熱潮、提高美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力并加強(qiáng)經(jīng)濟(jì)和國(guó)家安全。

美國(guó)商務(wù)部芯片計(jì)劃辦公室指出，這一最終規(guī)則是在仔細(xì)考慮針對(duì)2023 年 3 月發(fā)布的擬議規(guī)則而提交的評(píng)論后制定的。該部門在制定本規(guī)則時(shí)，審查并吸收了國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)、學(xué)術(shù)界、勞工組織、行業(yè)協(xié)會(huì)等利益相關(guān)者的建議。該規(guī)則提供了適用于“芯片法案”激勵(lì)計(jì)劃的國(guó)家安全措施的細(xì)節(jié)和定義，包括限制資金接受者在相關(guān)國(guó)家擴(kuò)大半導(dǎo)體制造。

“通過(guò)《芯片與科學(xué)法案》，拜登-哈里斯政府的首要任務(wù)之一是擴(kuò)大美國(guó)以及我們的盟友和合作伙伴的技術(shù)領(lǐng)先地位。這些護(hù)欄將保護(hù)我們的國(guó)家安全，并幫助美國(guó)在未來(lái)幾十年保持領(lǐng)先地位?！泵绹?guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo)表示?！懊绹?guó)芯片從根本上來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)國(guó)家安全倡議，這些護(hù)欄將有助于確保接受美國(guó)政府資金的公司不會(huì)損害我們的國(guó)家安全，因?yàn)槲覀儗⒗^續(xù)與我們的盟友和合作伙伴協(xié)調(diào)，以加強(qiáng)全球供應(yīng)鏈并增強(qiáng)我們的集體安全。”

美國(guó)通過(guò)的《芯片和科學(xué)法案》包括加強(qiáng)國(guó)家安全的明確“護(hù)欄”規(guī)則如下：

禁止“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者使用該資金在美國(guó)境外建造、修改或改進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)施；
限制“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者在獎(jiǎng)勵(lì)之日起 10 年內(nèi)投資于所關(guān)注的外國(guó)國(guó)家的大多數(shù)半導(dǎo)體制造業(yè)；和，
限制“芯片法案”激勵(lì)資金的接受者與涉及引起國(guó)家安全問(wèn)題的技術(shù)或產(chǎn)品相關(guān)的外國(guó)實(shí)體參與某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可工作。

如果違反這些護(hù)欄，商務(wù)部可以收回全部聯(lián)邦財(cái)政援助金。

相關(guān)細(xì)則包括：

制定標(biāo)準(zhǔn)限制先進(jìn)設(shè)施在國(guó)外的關(guān)注國(guó)家擴(kuò)張：該法規(guī)禁止自授予之日起10年內(nèi)在相關(guān)國(guó)家對(duì)尖端和先進(jìn)設(shè)施的半導(dǎo)體制造能力進(jìn)行實(shí)質(zhì)性擴(kuò)張。除了前端和后端工藝之外，該規(guī)則還明確晶圓生產(chǎn)也包含在半導(dǎo)體制造的定義中。最終規(guī)則將半導(dǎo)體制造能力的擴(kuò)大與潔凈室或其他物理空間的增加聯(lián)系在一起，并將材料擴(kuò)張定義為將設(shè)施的生產(chǎn)能力提高5%以上。該閾值旨在捕獲擴(kuò)大制造能力的適度交易，但允許資金接受者通過(guò)正常的業(yè)務(wù)過(guò)程設(shè)備升級(jí)和效率提高來(lái)維護(hù)其現(xiàn)有設(shè)施。

限制在受關(guān)注的外國(guó)擴(kuò)建舊設(shè)施：該法規(guī)限制在受關(guān)注的外國(guó)擴(kuò)建和新建舊設(shè)施。該規(guī)則提供了有關(guān)此限制的詳細(xì)信息，禁止接收者添加新的潔凈室空間或生產(chǎn)線，從而導(dǎo)致設(shè)施的生產(chǎn)能力擴(kuò)大超過(guò) 10%。該規(guī)則為計(jì)劃擴(kuò)大舊芯片設(shè)施的接收者建立了一個(gè)通知流程，以便商務(wù)部可以確認(rèn)是否遵守國(guó)家安全護(hù)欄。

將半導(dǎo)體列為對(duì)國(guó)家安全至關(guān)重要的半導(dǎo)體：雖然該法規(guī)允許相關(guān)公司在有限的情況下在受關(guān)注的外國(guó)國(guó)家擴(kuò)大傳統(tǒng)芯片（成熟制程芯片）的生產(chǎn)，但最新的規(guī)則將一系列半導(dǎo)體列為對(duì)國(guó)家安全至關(guān)重要的半導(dǎo)體，從而使它們受到更嚴(yán)格的限制。涵蓋了具有對(duì)美國(guó)國(guó)家安全需求至關(guān)重要的獨(dú)特特性的芯片，包括用于量子計(jì)算、輻射密集環(huán)境以及其他專業(yè)軍事能力的當(dāng)前一代和成熟節(jié)點(diǎn)芯片。該半導(dǎo)體芯片清單是與國(guó)防部和美國(guó)情報(bào)界協(xié)商制定的。

與外國(guó)相關(guān)實(shí)體進(jìn)行聯(lián)合研究和技術(shù)許可工作的詳細(xì)限制：該法規(guī)限制所涵蓋的實(shí)體與涉及引起國(guó)家安全問(wèn)題的技術(shù)或產(chǎn)品相關(guān)的外國(guó)實(shí)體進(jìn)行聯(lián)合研究或技術(shù)許可。受關(guān)注的外國(guó)實(shí)體包括由受關(guān)注國(guó)家擁有或控制的實(shí)體、工業(yè)與安全局 (BIS) 實(shí)體清單和財(cái)政部中國(guó)軍工綜合體公司 (NS-CMIC) 清單上的實(shí)體，以及《外國(guó)實(shí)體清單》中概述的其他實(shí)體。法令。這一限制不適用于現(xiàn)有業(yè)務(wù)所必需且不會(huì)威脅國(guó)家安全的幾種類型的活動(dòng)，例如與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)的活動(dòng)、涉及專利許可的活動(dòng)以及使資金接受者能夠利用鑄造和包裝服務(wù)的活動(dòng)。

編者按：

美國(guó)最終公布的關(guān)于“芯片法案”補(bǔ)貼申請(qǐng)的最終“護(hù)欄條款”與之前公布的基本一致，其主要目的是限制在美國(guó)投資的并申請(qǐng)獲得美國(guó)“芯片法案”補(bǔ)貼的半導(dǎo)體制造企業(yè)同時(shí)在包括中國(guó)大陸等受關(guān)注國(guó)家擴(kuò)大半導(dǎo)體投資。其中，對(duì)于先進(jìn)制程的投資，限制期限是10年，產(chǎn)能擴(kuò)大規(guī)模限制在5%以內(nèi)。這也意味著，三星、SK海力士、臺(tái)積電等晶圓制造商未來(lái)十年內(nèi)將無(wú)法在中國(guó)大陸有效擴(kuò)大對(duì)于先進(jìn)制程的投資。雖然可以有限的繼續(xù)投資成熟制程（限制比之前預(yù)期的小了一些），但是隨著技術(shù)的持續(xù)推進(jìn)及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，原有的“先進(jìn)”制程將會(huì)成為落后的“成熟制程”，因此如果原有的生產(chǎn)設(shè)施長(zhǎng)期無(wú)法進(jìn)行技術(shù)升級(jí)，其所生產(chǎn)出的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力必將持續(xù)下滑。同樣，由于半導(dǎo)體制造業(yè)具有較強(qiáng)的規(guī)模效益，如果原有的生產(chǎn)設(shè)施無(wú)法持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能，其所能為企業(yè)帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)也將持續(xù)下滑。這些都將會(huì)導(dǎo)致相關(guān)外資半導(dǎo)體制造商在國(guó)內(nèi)投資持續(xù)萎縮的同時(shí)，其生產(chǎn)設(shè)施的價(jià)值及重要性將會(huì)持續(xù)下滑。

目前三星在西安的兩座3D NAND工廠，投片量占該公司 NAND 閃存總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達(dá) 15.3%。SK海力士同樣也有約50%的DRAM產(chǎn)能在中國(guó)大陸。相比之下，臺(tái)積電在中國(guó)大陸的產(chǎn)能占比較低，遠(yuǎn)低于10%。其中，三星目前正在美國(guó)德克薩斯州泰勒市投資170億美元建造一座4nm晶圓廠，并有申請(qǐng)美國(guó)方面的補(bǔ)貼。而SK海力士目前尚未在美國(guó)投資建設(shè)半導(dǎo)體晶圓廠。因此，預(yù)計(jì)美國(guó)的“護(hù)欄”規(guī)則預(yù)計(jì)將會(huì)對(duì)于三星將造成更大影響。

但需要指出的是，除了該“護(hù)欄條款”之外，美國(guó)的對(duì)華半導(dǎo)體禁令還限制了相關(guān)半導(dǎo)體制造設(shè)備的對(duì)華出口，雖然此前三星、SK海力士、臺(tái)積電在華晶圓廠都獲得了1年的豁免期，但是該期限即將到期，美國(guó)尚未對(duì)其延長(zhǎng)豁免，即便后續(xù)得以延長(zhǎng)，那么會(huì)延長(zhǎng)多久依然是個(gè)問(wèn)題。這將是懸在這些廠商頭上的達(dá)摩克利斯之劍，因?yàn)槿绻麩o(wú)法獲得相關(guān)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，他們的在華晶圓廠運(yùn)營(yíng)可能很快將會(huì)陷入停滯。

編輯：芯智訊-浪客劍