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            博客專(zhuān)欄

            EEPW首頁(yè) > 博客 > 54億美元并購(gòu)失敗后,英特爾宣布將為高塔半導(dǎo)體提供代工服務(wù)!

            54億美元并購(gòu)失敗后,英特爾宣布將為高塔半導(dǎo)體提供代工服務(wù)!

            發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2023-09-09 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

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            繼此前雙方的54億美元并購(gòu)案失敗之后,當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月5日,英特爾代工服務(wù) (IFS)部門(mén)和領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體解決方案代工廠 Tower Semiconductor(高塔半導(dǎo)體)宣布達(dá)成一項(xiàng)新的協(xié)議,英特爾將提供代工服務(wù)和 300mm 制造能力可幫助高塔半導(dǎo)體為全球客戶(hù)提供服務(wù)。

            根據(jù)協(xié)議,高塔半導(dǎo)體將利用英特爾位于新墨西哥州的先進(jìn)制造工廠。同時(shí),高塔半導(dǎo)體將投資高達(dá) 3 億美元購(gòu)買(mǎi)和擁有將安裝在新墨西哥州工廠的設(shè)備和其他固定資產(chǎn),為高塔半導(dǎo)體的未來(lái)增長(zhǎng)提供每月超過(guò)60萬(wàn)個(gè)曝光層的新產(chǎn)能,從而使產(chǎn)能能夠支持預(yù)測(cè)的客戶(hù)需求300mm先進(jìn)模擬處理需求。

            雙方表示,該協(xié)議體現(xiàn)了英特爾和高塔半導(dǎo)體致力于通過(guò)無(wú)與倫比的解決方案和擴(kuò)展能力擴(kuò)大各自代工業(yè)務(wù)的承諾。英特爾將在新墨西哥州里奧蘭喬的英特爾 Fab 11X 工廠生產(chǎn)高塔半導(dǎo)體高度差異化的 65 納米電源管理 BCD(雙極-CMOS-DMOS)流程以及其他流程。

            英特爾高級(jí)副總裁兼英特爾代工服務(wù)總經(jīng)理斯圖爾特·潘恩 (Stuart Pann) 表示:“我們推出英特爾代工服務(wù)的長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)是提供全球首個(gè)開(kāi)放式系統(tǒng)代工廠,將安全、可持續(xù)和彈性的供應(yīng)鏈與英特爾和我們生態(tài)系統(tǒng)的最佳成果。我們很高興 Tower 看到了我們提供的獨(dú)特價(jià)值,并選擇我們來(lái)開(kāi)放他們的 300 毫米美國(guó)產(chǎn)能走廊?!?/p>

            Tower 首席執(zhí)行官 Russell Ellwanger 表示:“我們很高興繼續(xù)與英特爾合作。展望未來(lái),我們的主要重點(diǎn)是通過(guò)大規(guī)模制造領(lǐng)先的技術(shù)解決方案來(lái)擴(kuò)大我們的客戶(hù)合作伙伴關(guān)系。與英特爾的合作使我們能夠滿(mǎn)足客戶(hù)的需求路線圖,特別關(guān)注先進(jìn)的電源管理和射頻絕緣體硅 (RF SOI) 解決方案,并計(jì)劃于 2024 年進(jìn)行完整的工藝流程認(rèn)證。我們認(rèn)為這是第一步與英特爾共同打造多種獨(dú)特的協(xié)同解決方案。”

            該協(xié)議展示了IFS 如何幫助客戶(hù)進(jìn)入英特爾全球工廠網(wǎng)絡(luò)(包括美國(guó)、歐洲、以色列和亞洲)的制造能力走廊。除了在俄勒岡州的現(xiàn)有投資和計(jì)劃在俄亥俄州的投資外,英特爾 40 多年來(lái)一直在美國(guó)西南部地區(qū)進(jìn)行投資和創(chuàng)新,在亞利桑那州和新墨西哥州設(shè)有工廠。英特爾此前宣布投資 35 億美元,擴(kuò)大在新墨西哥州的業(yè)務(wù),并裝備其創(chuàng)新中心之一的里約蘭喬園區(qū),用于制造先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝。

            對(duì)于高塔半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),這是其擴(kuò)大規(guī)模的下一步,通過(guò)行業(yè)領(lǐng)先的 65nm BCD 功率和 RF SOI 技術(shù)在市場(chǎng)上的廣泛采用,為不斷擴(kuò)大的 300mm 技術(shù)客戶(hù)群提供服務(wù)。具體來(lái)說(shuō),高塔半導(dǎo)體的 65nm BCD 技術(shù)通過(guò)其一流的 Rdson 品質(zhì)因數(shù)為客戶(hù)提供了更高的功率效率、芯片尺寸和芯片成本。同樣,Tower 的 65nm RF SOI 技術(shù)可幫助客戶(hù)降低手機(jī)電池消耗,同時(shí)通過(guò)其一流的 RonCoff 品質(zhì)因數(shù)改善無(wú)線連接。該協(xié)議帶來(lái)的規(guī)模擴(kuò)大將使 Tower 不僅能夠利用現(xiàn)有技術(shù)提供更大的機(jī)會(huì),而且還能加強(qiáng)與行業(yè)領(lǐng)先客戶(hù)的合作伙伴關(guān)系,這將有助于制定強(qiáng)大的下一代技術(shù)路線圖。

            英特爾稱(chēng),IFS 是英特爾 IDM 2.0 戰(zhàn)略的重要支柱,今天的宣布標(biāo)志著英特爾在多年轉(zhuǎn)型中又向前邁出了一步,旨在重新獲得并加強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)先地位、制造規(guī)模和長(zhǎng)期增長(zhǎng)。IFS 在過(guò)去一年中取得了重大進(jìn)展,2023 年第二季度收入同比增長(zhǎng)超過(guò) 300% 就證明了這一點(diǎn)。近期,英特爾還與 Synopsys 達(dá)成協(xié)議,開(kāi)發(fā)基于 IFS 的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合,這一動(dòng)作反應(yīng)了Intel 3 和 Intel 18A 制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。英特爾還獲得了美國(guó)國(guó)防部的快速保證微電子原型 - 商業(yè) (RAMP-C) 計(jì)劃,有五個(gè) RAMP-C 客戶(hù)參與了Intel 18A 的設(shè)計(jì)。

            編輯:芯智訊-林子


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