雖然美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光在2022年下半年宣稱(chēng)全球首家量產(chǎn)了232層NAND Flash，但事實(shí)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美光之前就已經(jīng)小批量量產(chǎn)了。隨后在去年11月7日，三星電子也宣布量產(chǎn)了236層3D NAND閃存芯片。今年6月8日，SK海力士也宣布其在2022年8月開(kāi)發(fā)完成的238層堆疊的NAND Flash芯片正式開(kāi)始量產(chǎn)。至此，頭部的三大存儲(chǔ)廠商的NAND Flash均已經(jīng)進(jìn)入了232層或236層。

沒(méi)想到的是，僅時(shí)隔2個(gè)月之后，SK海力士竟然又推出了321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品。

SK海力士于8月8日宣布，借助其最新發(fā)布的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，使其正式成為業(yè)界第一家完成300層以上堆疊NAND Flash閃存開(kāi)發(fā)的公司。

SK海力士表示，321層堆疊的1Tb TLC 4D NAND Flash閃存性能，相比上一代238層堆疊的512Gb 4D NAND Flash閃存提高了59%。而提升性能的原因在于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存單元可以用更多的單片數(shù)量堆疊到更高，這使得在相同大小面積的芯片上達(dá)到更大儲(chǔ)存容量，也進(jìn)一步增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

不過(guò)，目前SK海力士的這款321層堆疊4D NAND Flash還需要進(jìn)一步優(yōu)化，計(jì)劃到2025年上半年才開(kāi)始量產(chǎn)供貨。

SK海力士還發(fā)布了針對(duì)這些需求進(jìn)一步優(yōu)化的下一代NAND Flash閃存產(chǎn)品解決方案，包括采用PCIe 5（Gen5）界面的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（Enterprise SSD，eSSD）以及UFS 4.0規(guī)格產(chǎn)品。

SK海力士進(jìn)一步指出，目前公司在積累產(chǎn)品技術(shù)和不斷優(yōu)化企業(yè)內(nèi)部解決方案的基礎(chǔ)上，正在積極開(kāi)發(fā)下一代PCI 6.0和UFS 5.0規(guī)格產(chǎn)品，以致力于在未來(lái)繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品市場(chǎng)。

編輯：芯智訊-浪客劍