導(dǎo)讀：當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月8日，ASML通過(guò)官網(wǎng)發(fā)布正式聲明，首次證實(shí)先進(jìn)DUV設(shè)備已經(jīng)被納入出口管制范圍。

圖：ASML官網(wǎng)聲明

芯片大師近期報(bào)道了分析：對(duì)華出口管制有哪些“重大漏洞”可以利用？，文中提及ASML的先進(jìn)DUV產(chǎn)品線NXT:2000系列（尤其是2022年發(fā)布的最新NXT:2100i）可能是拜登政府接下來(lái)對(duì)華禁售的重點(diǎn)機(jī)型之一，一語(yǔ)成讖。

ASML的聲明中提及，（本次出口限制）重要的是要考慮到額外的出口管制并不適用于所有浸沒式光刻工具，而僅適用于所謂的“最先進(jìn)”工具。盡管 ASML 尚未收到有關(guān)“最先進(jìn)”確切定義的任何其他信息，但 ASML將其解釋為“關(guān)鍵浸沒”，ASML將其定義為TWINSCAN NXT:2000i和后續(xù)浸沒系統(tǒng)。

圖：ASML的DUV次旗艦NXT:2000i

一般來(lái)說(shuō)，ArF浸沒式光刻機(jī)可用于7nm至38nm節(jié)點(diǎn)的曝光應(yīng)用，修改后的型號(hào)是最先進(jìn)可支持7nm工藝曝光的DUV系統(tǒng)。此外，而干式ArF系統(tǒng)可以滿足65nm及以上成熟工藝的曝光需求。

而本次提及的ASML已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)的DUV次旗艦NXT:2000i正是滿足38nm以下非先進(jìn)節(jié)點(diǎn)需求的型號(hào)，也被認(rèn)為是晶圓廠可以借助非EUV突破至7nm邏輯工藝的核心設(shè)備。

2020年底，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松稱，中芯國(guó)際的28nm、14nm、12nm及N+1等技術(shù)均已進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術(shù)的開發(fā)也已經(jīng)完成，2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)。隨后有媒體報(bào)道，少量客戶拿到其量產(chǎn)的7nm芯片，可能采用先進(jìn)DUV系統(tǒng)來(lái)完成，但未獲證實(shí)。

圖：存儲(chǔ)主控、MCU等已使用40nm節(jié)點(diǎn)

如今來(lái)看，西方對(duì)華先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器的光刻設(shè)備限制已經(jīng)蔓延至非先進(jìn)制程。

理論上，如果接下來(lái)管制繼續(xù)擴(kuò)大至全部DUV系統(tǒng)，中國(guó)大陸的晶圓廠將失去三大DUV系統(tǒng)——KrF、dry ArF和ArFi的支持，可能不得不退回到40/45nm一代。

那么這個(gè)影響面就極為廣泛，不僅在此范圍內(nèi)的汽車/消費(fèi)級(jí)SoC、CIS、存儲(chǔ)器、AI芯片和FPGA等無(wú)法在本土擴(kuò)產(chǎn)，甚至將來(lái)40nm以下的高端MCU也無(wú)法量產(chǎn)。