來源：瀚天天成

瀚天天成再次取得重大技術突破

近期，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司在第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會（2023年5月16日-18日）上宣布，研發(fā)團隊完成了具有自主知識產權的8英寸碳化硅外延工藝的技術開發(fā)，瀚天天成正式具備了國產8英寸碳化硅外延晶片量產能力。

據悉，瀚天天成上周完成了多項長期合約（LTA）的簽訂，包括價值超過1.92億美元的8英寸長約。公司所生產的 8 英寸碳化硅外延晶片的質量達到國際先進水平，即厚度不均勻性小于3%，濃度不均勻性小于6%，2mm*2mm管芯良率達到98%以上。該技術突破標志著我國已經掌握商業(yè)化的8英寸碳化硅外延生長技術，進一步推進了碳化硅外延材料的國產化進程，極大地提升了我國在碳化硅外延領域的國際地位。

據瀚天天成公司董事長趙建輝博士介紹，在半導體領域，增大晶片尺寸是提高半導體產品競爭力的最佳途徑。以2mm*2mm尺寸的管芯為例，通過完全同樣的工序，一片8英寸碳化硅外延晶片的芯片（器件）產出量是6英寸晶片產出量的1.8倍，是4英寸晶片產出量的4.3倍。由此可見，8英寸碳化硅外延晶片產品的推出將能夠有效降低器件生產的成本，對推動碳化硅半導體產業(yè)的發(fā)展具有深遠的意義。

瀚天天成目前是全球第一大碳化硅半導體純外延晶片生產商，為國家級專精特新重點“小巨人”企業(yè)（第一年第一批）。公司于2011年3月在廈門火炬高新區(qū)成立。

2012年3月，瀚天天成成為中國第一家提供商業(yè)化3英寸和4英寸碳化硅半導體外延晶片的企業(yè)，產品達到國際先進水平，并填補了國內空白。

2014年4月，瀚天天成完成第一筆商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片訂單，成為國內首家、全球第4家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產商。

目前瀚天天成已經在全部產品技術指標上達到世界領先水平?；谧钚麻_發(fā)的技術，瀚天天成的高均勻性產品指標對于生產車規(guī)級主驅MOSFET的企業(yè)能夠提供絕對的競爭優(yōu)勢。該競爭優(yōu)勢使得瀚天天成所簽訂的2023 年度訂單超過了原全球龍頭企業(yè)年產能的 3 倍多。根據市場調查公司YOLE 及TECHCET發(fā)布的碳化硅晶圓材料報告顯示，2023年全球等效6英寸碳化硅外延晶片市場（captive and open market）規(guī)?？偭款A計將達到約80萬片（YOLE）及107.2萬片（TECHCET）?；谠擃A測數據，瀚天天成2023年在手訂單（35萬片）全球占比高達43.7% 及32.7%。據了解，瀚天天成2024年Diamond Class 外延產能已大部分被LTA長約鎖定。

瀚天天成服務著大中華區(qū)絕大部分的碳化硅半導體器件企業(yè)，是大中華區(qū)唯一大批量進入國際巨頭供應鏈的外延晶片生產企業(yè)，同時服務著英飛凌、意法半導體、安森美及Wolfspeed這四家全球碳化硅Top 4之中的三家國際巨頭。瀚天天成高速發(fā)展的同時也大幅度帶動、提高了國產碳化硅半導體襯底在國際市場的競爭力。

以綠色科技推動“雙碳”進程

碳化硅（SiC）是繼硅、砷化鎵等第一、二代半導體之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體具有大禁帶寬度、高臨界場強、高熱導率等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件（電力芯片）的理想半導體材料。

以制作最常見的電力電子器件（肖特基功率二極管）為例，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導體材料，可將其正向比導通電阻降為千分之一。與傳統(tǒng)技術相比，碳化硅電力芯片能減少高達75%的能耗，降低高達75%的電力系統(tǒng)的體積和重量，使電力系統(tǒng)的造價降到傳統(tǒng)系統(tǒng)的75%，同時能大幅度提高電力系統(tǒng)的性能，在國民經濟中有著廣泛的應用，如變頻電機、家用電器、太陽能及風力發(fā)電、儲能、混合及純電動汽車、高鐵、智能電網、航天航空等行業(yè)。碳化硅半導體在新能源車上的應用已經實現了充電5分鐘續(xù)航200公里的良好成績。

由于碳化硅半導體的應用無處不在，碳化硅半導體支撐的高科技產業(yè)鏈將高達上千億元美元。碳化硅半導體技術的日益普及和應用將為電子相關行業(yè)的升級換代和建設低碳社會、實現雙碳目標提供強有力的技術保障。