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            博客專欄

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            科研前線 | 給3D-IC降溫去火,西電微通道散熱研究成果發(fā)表

            發(fā)布人:芯片揭秘 時(shí)間:2023-05-26 來源:工程師 發(fā)布文章


            直擊前線科研動(dòng)態(tài)

            盡在芯片揭秘●科研前線

            八十年代,工程界和學(xué)術(shù)界提出了微通道散熱器,將高端液體冷卻系統(tǒng)帶入了工程應(yīng)用領(lǐng)域。如今,高端3D-IC產(chǎn)品的積熱散熱成為了一大難題,面對(duì)這一行業(yè)發(fā)展瓶頸,西電研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了微通孔散熱結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新研究,相關(guān)成果刊載于封裝技術(shù)領(lǐng)域頂級(jí)期刊IEEE TCPMT。


            通過先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D堆疊結(jié)構(gòu),大大降低了多芯片互連的延遲與能耗,使得整體系統(tǒng)的性能和能效顯著提高。但隨著摩爾定律推動(dòng)晶體管體積不斷縮小,芯片整體的熱密度也在不斷增加,積熱成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不得不考慮的一大問題。


            隨著3D集成技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的暴力風(fēng)冷散熱越來越不能滿足3D-IC的散熱需求,尤其在服務(wù)器等HPC和數(shù)據(jù)相關(guān)領(lǐng)域,問題尤其嚴(yán)重。在3D-IC中,通過TSV通孔改善了電路的信號(hào)傳輸,降低了互連延遲,但TSV導(dǎo)熱系數(shù)帶來的散熱問題不可忽視。


            微通道散熱結(jié)構(gòu)是一種散熱解決方案,通過冷卻液體實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)和固液熱擴(kuò)散,可以將3D-IC中的大量熱量排出,從而有效地解決芯片的積熱問題。目前大多數(shù)研究都是建立熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,分析微通道的散熱能力好壞和熱分布,但動(dòng)態(tài)微通道散熱系統(tǒng)需要消耗額外的能量,復(fù)雜的微通道結(jié)構(gòu)也會(huì)增加制造難度。盡管微通道能提高芯片的散熱性能,但不合理的微通道設(shè)計(jì)也會(huì)額外增加成本。


            西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)針對(duì)這一空白領(lǐng)域進(jìn)行了探索,相關(guān)成果以Optimization and Analysis of Microchannels Under Complex Power Distribution in 3-D ICs為題發(fā)表于IEEE TCPMT,宋棟梁為第一作者,董剛教授為通訊作者。


            西電團(tuán)隊(duì)基于等效電路法,建立了集成微通道的等效導(dǎo)熱系數(shù)模型。考慮微通道幾何參數(shù)的變化和復(fù)雜的功率分布,研究了功率和冷卻液流量對(duì)3D-IC溫度的影響。并進(jìn)一步提出了一種基于功率分布和結(jié)構(gòu)參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的微通道優(yōu)化模型,即功率自適應(yīng)微通道(power adaptive microchannel,以下簡稱PAMC),針對(duì)器件層不同的熱功率分布設(shè)計(jì)了縱橫比不均勻的微通道,分別討論了無約束條件和兩種約束條件下的PAMC模型的散熱性能。具體研究內(nèi)容概括如下:

            · 構(gòu)建了微通道的等效導(dǎo)熱系數(shù)模型;

            · 研究了不同參數(shù)對(duì)溫度分布的影響;

            · 提出了基于功率分布與結(jié)構(gòu)參數(shù)協(xié)同優(yōu)化的PAMC模型;

            · 采用有限元方法對(duì)微通道等效導(dǎo)熱系數(shù)模型和PAMC模型的冷卻效率進(jìn)行了驗(yàn)證。


            結(jié)果表明,與傳統(tǒng)的微通道分布模型相比,PAMC模型不僅能有效降低三維集成電路的峰值溫度,有效解決了層內(nèi)峰值溫度過高的問題,并且其冷卻效率比傳統(tǒng)模型提高了12.6%,為其他電路設(shè)計(jì)節(jié)省了更多空間。


            3D-IC中微通孔示意圖

            微通孔結(jié)構(gòu)模型與等效電路模型

            不同面積因素對(duì)換熱特性的影響曲線

            Q在α、β方向上的的變化


            西電團(tuán)隊(duì)提出了精確的等效導(dǎo)熱系數(shù)模型和3D-IC內(nèi)集成微通道的優(yōu)化模型,其提出的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)具有更好的散熱效率對(duì)于快速熱設(shè)計(jì)和節(jié)省電路設(shè)計(jì)空間具有重要意義,在芯片越來越熱的當(dāng)下,想必將能夠有用武之地,為業(yè)界提供更有效率、成本更低的冷卻解決方案。


            董剛教授,西安電子科技大學(xué)博士生導(dǎo)師,本、碩、博畢業(yè)于在西安電子科技大學(xué),并于2006年3月至6月赴比利時(shí)魯汶大學(xué)和IMEC,2008年11月至2009年11月赴美國西北大學(xué)開展合作研究。目前主要研究方向?yàn)橄到y(tǒng)集成和集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)。


            主持和參加國家自然科學(xué)基金、國防預(yù)研基金、國防基礎(chǔ)科研、國防預(yù)研、省科技統(tǒng)籌創(chuàng)新工程項(xiàng)目多項(xiàng),在“Microelectronics Journal”、“Chinese Science Bulletin”、“Chinese Physics B”、“Chinese Journal of Electronics”、《物理學(xué)報(bào)》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》等國內(nèi)外核心刊物和學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表SCI/EI索引論文50余篇,申請(qǐng)/授權(quán)發(fā)明專利10余項(xiàng),出版國家級(jí)規(guī)劃教材一部。


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            關(guān)鍵詞: 芯片 半導(dǎo)體

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