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    傳高通驍龍8 Gen 4 for Galaxy芯片將使用三星3GAP工藝

    發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2023-05-23 來源:工程師 發(fā)布文章

    5月19日消息,知名爆料人Revegnus于當(dāng)?shù)貢r(shí)間18日通過Twitter爆料指出,高通Snapdragon 8 Gen 4處理器將將用臺(tái)積電的3nm(N3E)制程,但供應(yīng)三星Galaxy系列旗艦智能手機(jī)的Snapdragon 8 Gen 4則將采用三星代工的3nm(3GAP)制程。

    外媒Sammobile表示,如果爆料屬實(shí),那么則意味著三星的3nm制程在性能上已經(jīng)接近臺(tái)積電3nm制程。報(bào)導(dǎo)指出,這也是這么久以來首次有企業(yè)決定同時(shí)委托臺(tái)積電和三星這兩家晶圓代工廠生產(chǎn)同一款芯片,類似蘋果iPhone 6s所搭載的蘋果A9處理器,就是一部采用三星14nm制程,另一部分則是采用臺(tái)積電16nm制程。

    不過,現(xiàn)在還無法確認(rèn)此消息,因?yàn)楦咄ń衲昴甑撞艜?huì)推出Snapdragon 8 Gen 3處理器,而Snapdragon 8 Gen 4預(yù)計(jì)將會(huì)在2024年底推出,而搭載這款芯片的Galaxy s25也要2025年初才會(huì)推出。


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