霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內(nèi)高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或固體材料均可。

可測試材料: 

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料，低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料，高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。