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            博客專欄

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            「技術(shù)文章」國產(chǎn)MCU GD32和STM32的區(qū)別

            發(fā)布人:電子資料庫 時間:2023-02-27 來源:工程師 發(fā)布文章
            一、前言

            GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī),據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的,GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的,不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品,不可能所有東西都沿用STM32,有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了,下面我給大家講一下不同的地方。

            二、區(qū)別1、內(nèi)核

            GD32采用二代的M3內(nèi)核,STM32主要采用一代M3內(nèi)核,下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表,GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BUG。

            image.png


            2、主頻

            使用HSE(高速外部時鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大72M
            使用HSI(高速內(nèi)部時鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大64M
            主頻大意味著單片機(jī)代碼運行的速度會更快,項目中如果需要進(jìn)行刷屏,
            開方運算,電機(jī)控制等操作,GD是一個不錯的選擇。

            3、供電

            外部供電:GD32外部供電范圍是2.6~3.6V,STM32外部供電范圍是2~3.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。
            內(nèi)核電壓:GD32內(nèi)核電壓是1.2V,STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低,所以GD的芯片在運行的時候運行功耗更低。

            4、Flash差異

            GD32的Flash是自主研發(fā)的,和STM32的不一樣。
            GD Flash執(zhí)行速度:GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
            STM32 Flash執(zhí)行速度:ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系:

            0等待周期,當(dāng)0<SYSCLK<24MHz,

            1等待周期,當(dāng)24MHz<SYSCLK≤48MHz,

            2等待周期,當(dāng)48MHz<SYSCLK≤72MHz。
            Flash擦除時間:GD擦除的時間要久一點,官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的:GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號, Page Erase 典型值100ms, 實際測量60ms 左右。對應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。

            5、功耗

            從下面的表可以看出GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下,GD的運行功耗比STM32小,但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。

            image.png


            6、串口

            GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle,而STM32沒有,如下圖。

            image.png



            GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
            GD 和STM32 USART的這兩個差異對通信基本沒有影響,只是GD的通信時間會加長一點。

            7、ADC差異

            GD的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和ST有一定差異,相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下,ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系:

            image.png


            8、FSMC

            STM32只有100Pin以上的大容量(256K及以上)才有FSMC,GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

            9、103系列RAM&FLASH大小差別

            GD103系列和ST103系列的ram和flash對比如下圖:

            image.png


            10、105&107系列STM32和GD的差別

            GD的105/107的選擇比ST的多很多,具體見下表:

            image.png


            11、抗干擾能力

            關(guān)于這一點,官方?jīng)]有給出,我也是在做項目的時候偶然發(fā)現(xiàn)的,項目原本是用STM32F103C8T6,后來換成GD F103C8T6,這兩個芯片的引腳完全一致,然后單片機(jī)用了的兩個鄰近的引腳作為SPI的時鐘引腳和數(shù)據(jù)輸出引腳,然后發(fā)現(xiàn)STM32的SPI能正常通訊,GD不行,經(jīng)過檢查發(fā)現(xiàn)PCB板SPI的銅線背面有兩根IIC的銅線經(jīng)過,信號應(yīng)該是受到影響了。

            用示波器看了一下引腳的電平,發(fā)現(xiàn)確實是,STM32和GD的數(shù)據(jù)引腳波形都不正常,但是STM32的波形要好很多,波形雖然差了點,但是SPI通訊依然正常。而GD則不能正常通訊了。然后我又把SPI的通訊速率減慢,發(fā)現(xiàn)STM32的數(shù)據(jù)引腳很快就恢復(fù)正常波形了,而GD的依然差,直到速率降到很低才恢復(fù)正常。

            初步懷疑是STM32內(nèi)部對引腳有做一些濾波的電路,而GD則沒有。雖然我用的這個電路板本身布線有些不合理,但是在同樣惡劣的環(huán)境下,STM32依然保證了通訊的正常,而GD不行,這在一定程度上說明了GD的抗干擾能力不如STM32。

            好了,關(guān)于GD32和STM32的區(qū)別就講到這里,后續(xù)我還會繼續(xù)給大家講我將STM32移植到GD32的過程和一些細(xì)節(jié)。如果還有什么問題或者文中有錯誤的地方,請一定要聯(lián)系我,謝謝!


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