半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)入5.0階段！十大產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)預(yù)測(cè)

發(fā)布人：芯東西時(shí)間：2023-02-04 來(lái)源：工程師

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通過(guò)梳理國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代的發(fā)展脈絡(luò)，可以分為五個(gè)階段，2023年國(guó)產(chǎn)化將從4.0向5.0推進(jìn)：
① 國(guó)產(chǎn)化1.0（芯片設(shè)計(jì)）：2019年以信創(chuàng)軟件（操作系統(tǒng)）和芯片設(shè)計(jì)（數(shù)字芯片、模擬芯片）幾大類為主
2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應(yīng)，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對(duì)國(guó)產(chǎn)模擬芯片、國(guó)產(chǎn)射頻芯片、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片、國(guó)產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購(gòu)，這是第一步。
② 國(guó)產(chǎn)化2.0 （晶圓制造）：2020年以晶圓代工和周邊產(chǎn)業(yè)鏈，主要以中芯國(guó)際、封測(cè)鏈、設(shè)備鏈為主
2020年9月，限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等），海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈，直接帶動(dòng)了中芯國(guó)際等國(guó)產(chǎn)晶圓廠和封測(cè)廠的加速發(fā)展。
③ 國(guó)產(chǎn)化3.0（設(shè)備材料）：2021年以晶圓廠上游的半導(dǎo)體設(shè)備和材料鏈為主，比如前道核心設(shè)備和黃光區(qū)芯片材料
2020年12月，中芯國(guó)際進(jìn)入實(shí)體名單，限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全，必須做到對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破，由于DUV不受美國(guó)管轄，此階段的關(guān)鍵是針對(duì)刻蝕等美系技術(shù)的替代。
④ 國(guó)產(chǎn)化4.0（設(shè)備零部件、EDA/IP、材料上游）：2022年以零部件和EDA為主，進(jìn)入到國(guó)產(chǎn)鏈條的深水區(qū)，最底層的替代
2022年8月，美國(guó)發(fā)布芯片法案，對(duì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程的發(fā)展進(jìn)行封鎖。想要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控，必須進(jìn)入國(guó)產(chǎn)鏈條的深水區(qū)，實(shí)現(xiàn)從根技術(shù)到葉技術(shù)的全方位覆蓋。因此，底層的半導(dǎo)體設(shè)備逐漸實(shí)現(xiàn)1-10的放量，芯片材料逐漸實(shí)現(xiàn)0-1的突破，EDA/IP登陸資本市場(chǎng)，成為全新品類，最底層的設(shè)備零部件也將迎來(lái)歷史性發(fā)展。
⑤ 國(guó)產(chǎn)化5.0（中國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)）：2023年以后，將以建立產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)強(qiáng)供需聯(lián)系、打通內(nèi)循環(huán)為主要替代目標(biāo)
我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全而不強(qiáng)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的幾乎每一個(gè)環(huán)節(jié)都有中國(guó)企業(yè)，但是整體處于落后位置。由于產(chǎn)業(yè)鏈上下游的中國(guó)企業(yè)缺乏深度聯(lián)系，單個(gè)企業(yè)的進(jìn)步很容易受美國(guó)制裁影響。因此，培育良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，實(shí)現(xiàn)全自主制造，打通內(nèi)循環(huán)，依托國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的不斷升級(jí)，將成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)產(chǎn)化5.0的重要目標(biāo)。