PhotoMOS輸出光電耦合器的概要

介紹

PhotoMOS是利用功率MOSFET進(jìn)行輸出，在輸入輸出間實(shí)現(xiàn)電絕緣的輸出光電耦合器(1500VAC·1分鐘)，其等效電路如圖1所示。動作原理為通過光電元件(太陽能電池)將發(fā)光元件 (LED)的光能轉(zhuǎn)化成電能,通過功率MOSFET的導(dǎo)通、非導(dǎo)通,進(jìn)行負(fù)載控制。圖2顯示了其內(nèi)部的****圖，圖3顯示了動作以及復(fù)位時的原理。

圖1 PhotoMOS的等效電路

圖2 輸出端

圖3 電流驅(qū)動

PhotoMOS的特點(diǎn)：

PhotoMOS兼具了EMR（有觸點(diǎn)的機(jī)械繼電器）以及SSD（可控硅輸出光電耦合器）兩者的功能，具有以下特點(diǎn)。

可對微小的模擬信號進(jìn)行控制（參照圖4）

晶閘管或光電耦合器及一般的SSD,不能控制數(shù)百mV以下的信號,但PhotoMOS閉路時的偏置電壓極低,因此,即使是對微小電壓信號或模擬信號也可進(jìn)行不變形的控制)。

電路構(gòu)成簡單，因此可實(shí)現(xiàn)電路板的小型化以及設(shè)計的簡便化

可將發(fā)光元件、光電元件、功率MOSFET集中到一個封裝中,而且MOSFET的柵極也在封裝中,因此具有較強(qiáng)的抗干擾或抗靜電能力。此外,內(nèi)置具有自身發(fā)電功能的光電元件,所以不需要外部電源來驅(qū)動功率MOSFET。

可實(shí)現(xiàn)小輸入信號控制大負(fù)載（參照表1） 

與光電耦合器相比,因增幅率較大,所以可實(shí)現(xiàn)EMR所不具備的高靈敏度。

?開路時的漏電流極（參照圖5） 

一般的SSD開路時的漏電流大到數(shù)mA,但PhotoMOS即使施加負(fù)載電壓400V時,其漏出電流也僅有1μA以下。

可以適應(yīng)各種負(fù)載控制

電流、電壓通斷范圍較廣,因此適合繼電器、電機(jī)、燈、螺線管等各種負(fù)載的控制。

可控制含高頻成分的信號

RF型輸出端子間容量小至Typ.5pF,絕緣損失為40dB(1MHz)以上。

? 體積小、節(jié)省空間,安裝不受限制

? 熱電動勢低至1μV以下

? 使用壽命接近永久,無需更換

? 不發(fā)生電弧(干擾),無觸點(diǎn),因而運(yùn)行時沒有聲音

表1 產(chǎn)品信號負(fù)載

圖4負(fù)載電壓

圖5  電流電壓