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            博客專欄

            EEPW首頁 > 博客 > GDT陶瓷氣體放電管、壓敏電阻器件的導(dǎo)通順序你了解過嗎?

            GDT陶瓷氣體放電管、壓敏電阻器件的導(dǎo)通順序你了解過嗎?

            發(fā)布人:優(yōu)恩半導(dǎo)體 時間:2022-11-16 來源:工程師 發(fā)布文章

            GDT陶瓷氣體放電管、壓敏電阻的導(dǎo)通順序為放電管在前,壓敏電阻在后,這是為什么呢?且看:

            陶瓷氣體放電管—— 是采用陶瓷作為密封原料,且電容量極小的一種對稱開關(guān)型器件。一般在不受外界干擾情況下是處于關(guān)閉狀態(tài),同時,其電阻值在MΩ級以上。其作用是限制浪涌電壓,保護(hù)電路免受過壓的損害。

            陶瓷氣體放電管參數(shù):

            1)反應(yīng)時間是指從外加電壓超過擊穿電壓到出現(xiàn)擊穿的時間。GDT放電管的反應(yīng)時間一般以微秒為單位。

            2)允許功率負(fù)荷是指陶瓷氣體放電管能夠承受和耗散的較大能量,一般是8/20μs電流波形下能夠承受及耗散的電流。

            3)電容值是說在特定波形下(一般在1MHz頻率)測得的GDT放電管兩個電極之間的電容。GDT電管的電容很小,一般是≤1pF。

            4)直流擊穿電壓是在陶瓷氣體放電管上施加100V/s的直流電壓時的擊穿電壓值。放電管產(chǎn)生火花時的電壓即為擊穿電壓。 氣體放電管有多種不同規(guī)格的直流擊穿電壓,我們有70V-5500V的。其誤差范圍:一般為±20%,也有的為±15%。其值取決于氣體種類和電極間距等因素。

            通過與壓敏電阻對比分析可知,壓敏電阻的電容在1kHz時為210pF,而GDT放電管在1MHz頻率時的電容為1-2pF。

            GDT+MOV.png

            如果我們在兩端加上雷擊浪涌電壓,放電管和壓敏電阻之間的電壓就會除以寄生電容。GDT放電管與壓敏電阻兩個器件串聯(lián)時,通常小容量的分壓較高,大容量的分壓較小,MOV壓敏電阻的寄生電容是陶瓷氣體放電管的百倍,因此絕大部分的電壓會給到放電管,放電管導(dǎo)通之后,再施加到壓敏電阻上,此時壓敏電阻就會導(dǎo)通。在這種壓敏電阻和GDT放電管串聯(lián)使用的電路應(yīng)用中,響應(yīng)時間是放電管和壓敏電阻響應(yīng)的總和。

            所以,關(guān)于這兩種器件的導(dǎo)通順序你理解了嗎?

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