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            博客專欄

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            使用達(dá)林頓繼電器驅(qū)動器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)降低 EMI 的 4 個步驟

            發(fā)布人:dianlaotie 時(shí)間:2022-11-10 來源:工程師 發(fā)布文章

            電磁干擾(EMI)歷來是讓PCB設(shè)計(jì)工程師們頭疼的一個問題,它威脅著電子設(shè)備的安全性、可靠性和穩(wěn)定性。因此,我們在設(shè)計(jì)PCB時(shí),需要遵循一定的原則,使電路板的電磁干擾控制在一定的范圍內(nèi),達(dá)到設(shè)計(jì)要求和標(biāo)準(zhǔn),提高電路的整體性能。


            電磁干擾有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過導(dǎo)電介質(zhì)把一個電網(wǎng)絡(luò)上的信號耦合(干擾)到另一個電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過空間把其信號耦合(干擾)到另一個電網(wǎng)絡(luò)。在高速PCB及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,高頻信號線、集成電路的引腳、各類接插件等都可能成為具有天線特性的輻射干擾源,能****電磁波并影響其他系統(tǒng)或本系統(tǒng)內(nèi)其他子系統(tǒng)的正常工作。


            我們是否因?yàn)?EMI 問題而避免使用多通道繼電器驅(qū)動器?這個 EMI 問題可以通過增加上升/下降時(shí)間來解決,這樣到負(fù)載的電路板走線就不會像傳輸線一樣起作用。降低輸出壓擺率將增加上升和下降時(shí)間??梢酝ㄟ^添加電阻器 (Rin) 和電容器 (Cint) 來控制驅(qū)動器壓擺率,從而形成積分器。砰!問題解決了......這是如何做到這一點(diǎn)以及我們會發(fā)現(xiàn)的典型結(jié)果:


            使用達(dá)林頓繼電器驅(qū)動器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)降低 EMI 的 4 個步驟




            圖 1:示意圖


            第 1 步:根據(jù)驅(qū)動器的工作點(diǎn)估算電容電流


            驅(qū)動器輸入電壓 (Vop) 和輸入電流 (Iop) 在輸出壓擺時(shí)間內(nèi)幾乎保持不變。對于輸入電阻 (Rin) 的實(shí)際值,驅(qū)動器輸入電流 (Iop) 將遠(yuǎn)小于電阻電流 (Iin)。因此,電容器電流 (Ic) 可以近似為與輸入電流相同。


            對于EMI傳導(dǎo)部分,重點(diǎn)是充分利用旁路電容器和去耦電容器。旁路電容器(提供交流短路線)必須布置在晶片電源管腳和接地線(平面)上。去耦電容器應(yīng)放置在電流需求變化較大的地方,以避免因電線阻抗(電感)而從電源和接地線上耦合干擾。當(dāng)然,磁珠的合理串聯(lián)可以吸收(轉(zhuǎn)換為熱能)。電感器有時(shí)也可以用來過濾干擾,但請注意,電感本身也有頻率響應(yīng)范圍,包裝也決定了其頻率響應(yīng)。以上是一些基本的經(jīng)驗(yàn),對于EMI設(shè)計(jì),你需要真正了解自己的設(shè)計(jì),需要關(guān)注哪里,問題會是什么現(xiàn)象,什么是替代方案,需要提前整理。


            第 2 步:確定正壓擺率和負(fù)壓擺率


            正輸出壓擺率(輸入邏輯低電平)為 (Vop - Vin) / (Rin * Cint),單位為 V/S。負(fù)輸出壓擺率(輸入邏輯高電平)為 (Vin - Vop) / (Rin * Cint),單位為 V/S。除以 10 6得到 V/uS 。Iop 和 Vop 隨負(fù)載和溫度而變化。它們還可以因設(shè)備而異。由于這些差異,速率控制很好,但精度不高。


            對于我們的實(shí)驗(yàn),我們使用 Rin=402 ohms,繼電器為 12V,線圈電流為 122mA,Vop = 1.7V,Iop = 90uA,Cint = [0.1nF,1nF,10nF,100nF],VIH = 3.2V,VIL=0.1V ,結(jié)果如下:


            腰帶積極的消極的


            nF轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率單位


            沒有任何170900V/uS


            0.125.933.4V/uS


            13.823.71V/uS


            100.3760.379V/uS


            1000.0310.030V/uS


            第 3 步:使用波形驗(yàn)證結(jié)果


            使用達(dá)林頓繼電器驅(qū)動器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)降低 EMI 的 4 個步驟




            當(dāng) RIN 增加到 1k ohms 或 40pF 的寄生電容被添加到驅(qū)動器輸入節(jié)點(diǎn)時(shí),正壓擺波形上會出現(xiàn) 30 至 40MHz 的振蕩。因此,Rin 和 Cint 應(yīng)靠近驅(qū)動器輸入引腳以減少走線電容,Rin 應(yīng)為 402 歐姆或更小。


            使用達(dá)林頓繼電器驅(qū)動器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)降低 EMI 的 4 個步驟




            第 4 步:確定開關(guān)損耗


            可以使用線圈電流、線圈電源電壓、壓擺率和頻率(每秒的平均繼電器周期數(shù):通常小于 1)來估計(jì)由于延長的上升和下降時(shí)間而增加的開關(guān)損耗。因此,增加的功率損耗為 P = ? * F * V 2 * I / Pslew。對于 V=12V,I=122mA,402 ohms + 10nF 使得 Pslew = 0.38V/uS,F(xiàn) = 1(開/關(guān))周期/秒,功耗僅為 +23uW。


            對于 PWM 應(yīng)用(在觸點(diǎn)保持期間降低線圈電流),每個通道增加的 PWM 功率損耗為 P = ? * F * V 2 * I * (1/Pslew + 1/Nslew)。對于 V=12V,I = 70mA,402 ohms + 100pF 使得 Pslew = 26V/uS,Nslew = 33V/uS,F(xiàn) = 25kHz,每通道功率為 +17mW。


            所以…… 繼電器驅(qū)動器的 EMI 可以通過添加一些無源元件和小幅增加驅(qū)動器的功耗來降低。


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