超結也稱為超級結，是英文Super Junction 的直譯，而英飛凌之前將這種技術稱之為CoolMOS。因而超結（Super Junction，CoolMOS）一直混用至今。瑞森半導體多年前就進軍超結領域，經過多年研發(fā)生產，目前已擁有完整的超結系列產品。

一、超結MOS結構

傳統(tǒng)高壓MOS，晶圓襯底為降低其電阻會做高摻雜，但為保證其擊穿電壓，在外延N-上摻雜濃度會降低，而低摻雜濃度的外延層會導致結構電阻增大，也就是MOS管的內阻增大。

為解決這一狀況開發(fā)出超結技術，超結MOSFET 采用了在垂直溝槽結構，在外延N-層建立了深入的p型區(qū)，其摻雜濃度比原p型區(qū)的摻雜濃度低，其作用是補償導通電荷，并使pn結的耗盡區(qū)向p區(qū)一側擴展，起到了電壓支持層的作用，降低了擊穿電壓對外延層N-的要求。這樣便可提高延層N-摻雜濃度，從而降低其結構電阻。

二、超結MOS的特點

1.內阻低(RDSON) 

得益于特殊的芯片內部結構，使得超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。特別在對溫度要求高的產品上，例如充電頭，使用超結替代傳統(tǒng)MOS可以降低產品外殼能感受的溫度，使得用戶擁有更好的產品體驗。

2.減小封裝體積

在同等電壓和電流要求下，超結MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小，因而可以封裝更小尺寸的產品，這樣有利于設計更小體積的電源電路。

在同等要求中，使用超結MOS得益于低內阻，其損耗發(fā)熱會比傳統(tǒng)MOS低很多，因而對散熱要求會降低。在實際電源應用中，通常會減少甚至取消散熱片尺寸，也在另一方面降低了成本。

3.超結的抗浪涌能力（EAS）

由于超結MOS芯片結構比傳統(tǒng)MOS芯片更容易出現缺陷，而缺陷的增多直接表現為芯片的抗浪涌能力降低。這也是不少使用者在用超結MOS替代VDMOS的過程中，容易出現浪涌及雷擊測試不合格的情況。當電源對浪涌要求高時，例如戶外產品，需特別注意MOS的抗浪涌能力，若使用超結MOS時，必須要設計好浪涌保護電路。超結MOS工藝有深溝槽和多層外延兩種，深溝槽為一次在外延上掩刻及填充，多層外延為一次次掩刻，反復注入摻雜。深溝槽工藝成本較低，但品質相對難控制，多層外延由于多次掩刻成本較高，但品質較為穩(wěn)定。瑞森超結MOS使用成熟多層外延工藝，確保產品優(yōu)良品質。

4.較小的柵電荷

在電源設計中，由于傳統(tǒng)MOS柵電荷相較大，對IC的驅動能力要求較高，若IC驅動能力不足會造成溫升等問題，所以在選擇驅動IC時會受到限制，甚至對于驅動不足的IC會另外增加設計推挽電路。

得益超結MOS芯片結構，超結MOS具有相對于傳統(tǒng)MOS較小的柵電荷，所以對電路的驅動能力要求降低，從而放寬對驅動IC的要求，讓電路設計有更多選擇。 

5.較低的結電容

由于芯片結構的改變，超結MOS的結電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，較低的輸出結電容能改善MOS開關損耗。而較低的柵電容能減小柵極充電時間，提高開關速度。超結MOS結電容的減小，可以有效的降低電源電路開關損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率。

但另一方面超結MOS較小的寄生電容和極快的開關特性，會造成較高的dv/dt和di/dt并通過器件和印刷電路板中的寄生電容電感等，從而影響開關性能。對于高頻電源來說，使用超結MOS，可能會比使用傳統(tǒng)MOS有更高的EMI，所以在使用超結MOS的電路中，其EMI的控制需要特別注意。另外，較快的開關速度會造成電路中更高的VDS尖峰，所以在電路設計超結MOS VDS的過程中余量要計算充足，必要時可調整驅動電阻以降低其電壓尖峰。

三、瑞森多層外延工藝超結MOS

瑞森多層外延工藝超結MOS系列產品，具有內阻低，抗沖擊能力強，結電容低，可靠性高，品質穩(wěn)定等特點。目前該系列產品已與眾多的客戶合作，瑞森助力客戶制造更優(yōu)質電源。