溫馨提示：本文字?jǐn)?shù)約3200字，閱讀時(shí)間約15分鐘。

本文將主要介紹晶體管到底是什么以及它的詳細(xì)特性和功能。晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢測(cè)、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。作為可變電流開(kāi)關(guān)，晶體管可以根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。

與一般的機(jī)械開(kāi)關(guān)（如繼電器、開(kāi)關(guān)）不同，晶體管是利用電信信號(hào)來(lái)控制其開(kāi)關(guān)的，開(kāi)關(guān)速度可以非常快，在實(shí)驗(yàn)室中可以達(dá)到100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)突破了物理極限，將現(xiàn)有最復(fù)雜的晶體管工藝從14納米削減到1納米，實(shí)現(xiàn)了計(jì)算技術(shù)的突破。

晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。

由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以在很小的區(qū)域內(nèi)封裝，可容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。

（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）

嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的所有單體元件，包括由各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。三極管多指晶體三極管。

晶體管主要分為兩大類：雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。

晶體管結(jié)構(gòu)

三極管有三極：雙極型三極管的三極分別由N型和P型組成：****極、基極和集電極；場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極點(diǎn)是：Source、Gate、Drain。

由于三極管的三種極性，也有三種使用方式：****極接地（也稱為共****放大器/CE配置）、基極接地（也稱為共基極放大器/CB配置）和集電極接地（也稱為公共集放大器/CC 配置/****極耦合器）。

1947 年 12 月，由 Belle Labs、Shockley、Barding 和 Bratton 組成的團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種點(diǎn)接觸鍺晶體管，它的問(wèn)世是 20 世紀(jì)的一項(xiàng)重****明，也是微電子革命的先驅(qū)。隨著晶體管的出現(xiàn)，人們可以用體積小、功耗低的電子器件來(lái)代替體積大、功耗大的電子管。晶體管的發(fā)明為集成電路的誕生吹響了號(hào)角。

1910 年代初期，通信系統(tǒng)開(kāi)始使用半導(dǎo)體。1910 年代初期，通信系統(tǒng)開(kāi)始使用半導(dǎo)體。20世紀(jì)上半葉，礦石收音機(jī)在收音機(jī)愛(ài)好者中廣為流行。它們用于通過(guò)使用這種半導(dǎo)體進(jìn)行檢測(cè)。半導(dǎo)體的電氣特性也已應(yīng)用于電話系統(tǒng)。

• 2.1 真空三極管

1939年2月，貝爾實(shí)驗(yàn)室有了重****現(xiàn)——硅PN結(jié)。1942年，由Lark Horovitz領(lǐng)導(dǎo)的普渡大學(xué)研究小組的一個(gè)名叫Seymour Benzer的學(xué)生發(fā)現(xiàn)，鍺單晶具有其他半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良整流特性。這兩項(xiàng)發(fā)現(xiàn)滿足了美國(guó)政府的要求，為后來(lái)的晶體管發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。

• 2.2 點(diǎn)接觸晶體管

1945年，肖克利等科學(xué)家發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體管成為人類微電子革命的先行者。為此，肖克利為貝爾提交了第一個(gè)晶體管的專利申請(qǐng)。最終，他獲得了第一項(xiàng)晶體管專利的授權(quán)。

• 2.3 雙極和單極晶體管

1952年，肖克利在1952年雙極型晶體管的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念，今天稱為結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)類似于PNP或NPN雙極晶體管，但在PN材料的界面處有一個(gè)耗盡層，在柵極和源漏導(dǎo)電溝道之間形成整流接觸。同時(shí)，兩端的半導(dǎo)體作為柵極。源極和漏極之間的電流由柵極調(diào)節(jié)。

詳細(xì)了解 NPN 雙極結(jié)型晶體管的工作原理及其作用

• 2.4 硅晶體管

生產(chǎn)晶體管的Fairy Semiconductor已經(jīng)從幾個(gè)人的公司發(fā)展成為擁有12,000名員工的大公司。

• 2.5 集成電路

1954年硅晶體管發(fā)明后，晶體管的巨大應(yīng)用前景越來(lái)越明顯。科學(xué)家的下一個(gè)目標(biāo)是進(jìn)一步有效地連接晶體管、電線和其他設(shè)備。

• 2.6 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）和MOS晶體管

1962年，在RCA器件集成研究組工作的Stanley、Heiman和Hofstein發(fā)現(xiàn)，可以通過(guò)Si襯底上的導(dǎo)帶、高阻溝道和氧化物絕緣體的擴(kuò)散和熱氧化來(lái)構(gòu)建晶體管，即MOS晶體管。

• 2.7 微處理器（CPU）

英特爾成立之初，公司仍專注于內(nèi)存條。Hoff 在單個(gè)芯片上集成了所有中央處理器功能，外加內(nèi)存。它是世界上第一個(gè)微處理器----4004（1971）。4004的誕生，標(biāo)志著一個(gè)時(shí)代的開(kāi)始。從此，英特爾在微處理器研究領(lǐng)域變得一發(fā)不可收拾，占據(jù)主導(dǎo)地位。

1989 年，英特爾推出了 80486 處理器。1993年，英特爾開(kāi)發(fā)了新一代處理器。1995 年，英特爾發(fā)布了 Pentium_Pro。Pentium II處理器于1997年發(fā)布，1999年P(guān)entium III處理器發(fā)布，2000年P(guān)entium 4處理器發(fā)布。

• 3.1 三極管如何分類

> 晶體管所用材料

根據(jù)晶體管所用的半導(dǎo)體材料，可分為硅晶體管和鍺晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。

> 技術(shù)

晶體管按其結(jié)構(gòu)和制作工藝可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。

> 現(xiàn)有容量

晶體管按電流容量可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高功率晶體管。

> 工作頻率

晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管。

> 封裝結(jié)構(gòu)

晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝晶體管、塑料封裝晶體管、玻璃殼封裝晶體管、表面封裝晶體管和陶瓷封裝晶體管等。

> 功能和用途

根據(jù)功能和用途，晶體管可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高背壓晶體管、帶阻晶體管、阻尼晶體管、微波晶體管、光晶體管和磁晶體管和許多其他類型。

• 3.2 晶體管的種類及其特性

> 巨型晶體管 (GTR)

GTR 是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管(BJT)，因此有時(shí)也稱為功率 BJT。

特點(diǎn)：高電壓、大電流、開(kāi)關(guān)特性好、驅(qū)動(dòng)功率大，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

> 光電晶體管

光電晶體管是由雙極晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的光電器件。光在此類器件的有源區(qū)被吸收，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過(guò)內(nèi)部電放大機(jī)制并產(chǎn)生光電流增益。光電三極管工作在三端，易于實(shí)現(xiàn)電子控制或電氣同步。

光電晶體管使用的材料通常為GaAs，主要分為雙極光電晶體管、場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管及其相關(guān)器件。雙極光電晶體管通常具有高增益，但不會(huì)太快。對(duì)于GaAs-GaAlAs，放大倍數(shù)可大于1000，響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng)于納秒，常用作光電探測(cè)器和光放大。

場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管（FET）響應(yīng)速度快（約50皮秒），但缺點(diǎn)是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測(cè)器。與之相關(guān)的平面光電器件還有很多，其特點(diǎn)是響應(yīng)速度快（響應(yīng)時(shí)間為幾十皮秒），適合集成化。這些類型的器件有望應(yīng)用于光電集成。

> 雙極晶體管

雙極晶體管是音頻電路中常用的一種晶體管。雙極是由兩種半導(dǎo)體材料中的電流流動(dòng)引起的。雙極型晶體管按工作電壓的極性可分為NPN型或PNP型。

> 雙極結(jié)型晶體管 (BJT)

“雙極”意味著電子和空穴在工作的同時(shí)都在運(yùn)動(dòng)。雙極結(jié)晶體管又稱半導(dǎo)體三極管，是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合起來(lái)的器件。有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)。三極的外部激發(fā)：集電極、****極和基極。BJT 具有放大功能，這取決于它的****極電流能否通過(guò)基區(qū)傳輸?shù)郊姌O區(qū)。

為了保證這一運(yùn)輸過(guò)程，一方面要滿足內(nèi)部條件。這意味著****區(qū)的雜質(zhì)濃度應(yīng)遠(yuǎn)大于基區(qū)的雜質(zhì)濃度，基區(qū)的厚度應(yīng)非常小。另一方面，要滿足外部條件。這意味著****結(jié)應(yīng)該是正偏壓（加上正電壓），而集電結(jié)應(yīng)該是反偏壓。BJT的種類很多，按頻率分有高頻管和低頻管；按功率分有小、中、大功率管；按半導(dǎo)體材料分有硅管、鍺管等。放大電路由共****極、共基極和共集電極組成。

BJT

> 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)

“場(chǎng)效應(yīng)”的意思是晶體管的原理是基于半導(dǎo)體的電場(chǎng)效應(yīng)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管。FET 有兩種主要類型：結(jié)型 FET (JFET) 和金屬氧化物半導(dǎo)體 FET (MOS-FET)。與 BJT 不同，F(xiàn)ET 僅由一個(gè)載流子組成，因此也稱為單極晶體管。它屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍寬、易于集成、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。

場(chǎng)效應(yīng)是改變垂直于半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中大多數(shù)載流子的密度或類型。通道中的電流受電壓調(diào)制，工作電流由半導(dǎo)體中的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極型晶體管相比，F(xiàn)ET具有輸入阻抗高、噪聲低、極限頻率高、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等。 金屬M(fèi)OSFET基于硅和基于 GaAs 的肖特基勢(shì)壘 FET (MESFET) 是兩種最重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

場(chǎng)效應(yīng)管

> 單電子晶體管

單電子晶體管是一種可以用一個(gè)或少量電子記錄信號(hào)的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來(lái)越高。以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為例，其集成度以幾乎每?jī)赡晁谋兜乃俣仍鲩L(zhǎng)，預(yù)計(jì)單電子晶體管將是最終目標(biāo)。

目前，平均存儲(chǔ)器包含200, 000個(gè)電子，而單電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989 年，JHFScott-Thomas 等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫(kù)侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中電荷量的變化小于一個(gè)電子，則不會(huì)有電流通過(guò)量子點(diǎn)。

所以電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系，而是階梯狀的。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng)，為單電子晶體管的制作提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

> 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)

絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管-GTR 和功率 MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT 也是三端器件：柵極、集電極和****極。

三極管的主要參數(shù)包括電流放大系數(shù)、耗散功率、特征頻率、最大集電極電流、最大反向電壓、反向電流等。

• 4.1 直流電流放大系數(shù)

直流電流放大系數(shù)，又稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大系數(shù)，是指在靜態(tài)信號(hào)輸入不變時(shí)，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，通常用hFE或β表示。

• 4.2 交流電流放大系數(shù)

交流電流放大系數(shù)，又稱交流放大系數(shù)、動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)，是指交流狀態(tài)下IC與IB的比值，通常用hFE或β表示。hFE 和 β 密切相關(guān)，但也不同。這兩個(gè)參數(shù)在低頻時(shí)接近，在高頻時(shí)有一些差異。

• 4.3 耗散功率

耗散功率又稱集電極最大允許耗散功率----PCM，是指晶體管參數(shù)不超過(guò)規(guī)定的允許值時(shí)集電極的最大耗散功率。

耗散功率與晶體管的最大允許結(jié)和集電極電流密切相關(guān)。使用時(shí)晶體管的實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM值，否則晶體管會(huì)因過(guò)載而損壞。

耗散功率PCM小于1W的晶體管通常稱為低功率晶體管，等于或大于1W。小于5W的晶體管稱為中功率晶體管，PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

• 4.4 特征頻率（fT）

當(dāng)晶體管的工作頻率超過(guò)截止頻率 fβ 或 fα 時(shí)，電流放大系數(shù) β 會(huì)隨著頻率的增加而減小。特征頻率是 β 值減小到 1 時(shí)晶體管的頻率。

特征頻率小于或等于3MHZ的晶體管通常稱為低頻晶體管。fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻晶體管。fT大于3MHZ的晶體管和小于30MHZ的晶體管稱為中頻晶體管。

• 4.5 最大頻率 (fM)

最大振蕩頻率是晶體管的功率增益降低到 1 時(shí)的頻率。

一般來(lái)說(shuō)，高頻晶體管的最大振蕩頻率低于共基極截止頻率fα，而特征頻率fT高于共基極截止頻率fα而低于共集電極截止頻率fβ。

• 4.6 最大集電極電流（ICM）

最大集電極電流 (ICM) 是允許通過(guò)晶體管集電極的最大電流。當(dāng)晶體管的集電極電流IC超過(guò)ICM時(shí)，晶體管的β值會(huì)發(fā)生明顯的變化，影響其正常工作，甚至造成損壞。

• 4.7 最大反向電壓

最大反向電壓是晶體管在工作時(shí)允許施加的最大工作電壓。它包括集電極-****極反向擊穿電壓、集電極-基極反向擊穿電壓和****極-基極反向擊穿電壓。

> 集電極 - 集電極反向擊穿電壓

該電壓是指晶體管基極電路開(kāi)路時(shí)集電極和****極之間允許的最大反向電壓，通常用VCEO或BVCEO表示。

> 基極 - 基極反向擊穿電壓

電壓是指三極管觸發(fā)時(shí)集電極和基極之間允許的最大反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。

> ****極 - ****極反向擊穿電壓

該電壓是指晶體管集電極開(kāi)路時(shí)****極與基極間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

> 集電極 - 基極反向電流 (ICBO)

ICBO又稱集電極反向漏電流，是指晶體管****極開(kāi)路時(shí)集電極與基極間的反向電流。反向電流對(duì)溫度敏感。該值越小，晶體管的溫度特性越好。

> 集電極 - ****極反向擊穿電流 (ICEO)

集電極和****極之間的反向擊穿電流 ICEO

ICEO是晶體管基極開(kāi)路時(shí)集電極和****極之間的反向漏電流。電流越小，晶體管的性能越好。

1. 什么是晶體管，它是如何工作的？
晶體管是一種微型電子元件，可以做兩種不同的工作。它既可以用作放大器，也可以用作開(kāi)關(guān)：...流過(guò)晶體管一部分的微小電流可以使更大的電流流過(guò)晶體管的另一部分。換句話說(shuō)，小電流接通大電流。

2. 晶體管的主要作用是什么？
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或切換電子信號(hào)和電力。晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。它由半導(dǎo)體材料組成，通常具有至少三個(gè)用于連接到外部電路的端子。

3.晶體管的原理是什么？
晶體管由兩個(gè)背對(duì)背連接的 PN 二極管組成。它具有三個(gè)端子，即****極、基極和集電極。晶體管背后的基本思想是，它可以讓您通過(guò)改變流過(guò)第二個(gè)通道的小得多的電流的強(qiáng)度來(lái)控制流過(guò)一個(gè)通道的電流。

4. 晶體管的兩種主要類型是什么？
晶體管基本上分為兩種類型；它們是雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)。BJT 又分為 NPN 和 PNP 晶體管。

5. 晶體管有多少種類型？
兩種類型
有兩種類型的晶體管，它們?cè)陔娐分械氖褂梅绞铰杂胁煌?。雙極晶體管具有標(biāo)記為基極、集電極和****極的端子。

6. 什么是PNP和NPN三極管？
在 NPN 晶體管中，向集電極端子提供正電壓以產(chǎn)生從集電極到****極的電流。在 PNP 晶體管中，向****極端子提供正電壓以產(chǎn)生從****極到集電極的電流。

7.晶體管是如何測(cè)量特性的？
晶體管的輸出特性是通過(guò)檢查屬于不同基極電流的集電極電流的集電極-****極之間的電壓變化來(lái)確定的。按移動(dòng)設(shè)備上的“輸出特性”按鈕開(kāi)始實(shí)驗(yàn)。

8. CPU 中的晶體管是什么？
晶體管是改變電流流動(dòng)的基本電氣元件。晶體管是集成電路的構(gòu)建塊，例如計(jì)算機(jī)處理器或 CPU。計(jì)算機(jī)處理器中的晶體管經(jīng)常打開(kāi)或關(guān)閉信號(hào)。

9. NPN晶體管的用途是什么？
定義：在兩種n型材料之間放置一種p型材料的晶體管稱為NPN晶體管。NPN晶體管放大進(jìn)入基極的微弱信號(hào)，在集電極端產(chǎn)生強(qiáng)放大信號(hào)。

10. 手機(jī)中的晶體管有什么用？
它們存儲(chǔ)電荷。他們存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。它們會(huì)放大手機(jī)的輸入信號(hào)。