在碳化硅8英寸時代到來之際，隨著坩堝的直徑增長，感應(yīng)線圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大，而這樣的參數(shù)變化不適合大直徑的晶體生長。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐，以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術(shù)，更優(yōu)化解決晶體的長大、長快、長厚的行業(yè)需求。這就突顯SiC感應(yīng)晶體生長爐的技術(shù)落后，為了對應(yīng)行業(yè)客戶的使用慣性及Know-How的延續(xù)，恒普科技推出了雙線圈感應(yīng)晶體生長爐，并且同時推出石英管（雙線圈外置）和金屬殼（雙線圈內(nèi)置）兩款全新爐型。

 

雙線圈的技術(shù)并不是新的技術(shù)路線，但是雙線圈的相互干擾，特別是在坩堝中的發(fā)熱互相干擾，對工藝調(diào)整存在很大難度，物質(zhì)流傳輸及通道沉積都存在難點，為了克服8英寸感應(yīng)晶體生長爐的問題點，恒普科技解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離，做到了【準軸徑分離】，并將技術(shù)同時使用在了兩種爐型上，滿足更多客戶的使用習慣。

 

 

·坩堝區(qū)域溫度分離  （相對分離）

·采用特殊定制石墨硬氈

·雙水平式線圈

·獨特的二次發(fā)熱體

·坩堝與熱場分離

·物質(zhì)流的傳輸導流控制

注：以上功能不是2款爐型都有。

 

 

·坩堝區(qū)域溫度分離

·方便原工藝過渡

·水平螺旋線圈，提高磁場平衡與雙線圈匹配

 

技術(shù)特點：

·爐下方向出料，解決8英寸坩堝上取料的不便

·出料時，坩堝與熱場自動分離，提高爐次的重復性

·獨特的二次發(fā)熱體

·優(yōu)化內(nèi)置線圈絕緣

·橫向多點測溫

·采用特殊定制石墨硬氈